Vishay的TrenchFET功率MOSFET荣获电源产品奖

时间：2011-10-17 10:23:34

关键字： Vishay 电源 TRENCHFET 功率MOSFET

[导读]日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET?功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。《今日电子》的编辑从开创性的设计、在技术或应用方面取得

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其SiR662DP 60V n沟道TrenchFET?功率MOSFET被《今日电子》杂志评为第九届年度Top-10 DC/DC电源产品奖的获奖产品。

《今日电子》的编辑从开创性的设计、在技术或应用方面取得显著进步、性价比显著提高三个方面，对前一年发布的数百款产品进行评选。Vishay的SiR662DP功率MOSFET凭借在DC/DC应用上的创新和成功示范，荣获该奖项。

《今日电子》Top-10 DC/DC电源产品奖的颁奖仪式在9月8日北京国宾酒店举行的2011电源技术研讨会期间举行。Vishay公司北京办公室的销售经理Alice Wei代表Vishay领取该奖项。