尔必达25纳米DRAM试产成功

时间：2011-08-04 10:22:34

关键字： DRAM 尔必达 GB SDRAM

[导读]日本存储器大厂尔必达(Elpida)公布，已于2011年7月试产25纳米(nm)的2GB DDR3SDRAM「EDJ2104BFSE／EDJ2108BFSE」样品。该公司为全球首家推出25纳米DRAM的企业，芯片面积也是世界最小。尔必达表示，25纳米制程技术早于

日本存储器大厂尔必达(Elpida)公布，已于2011年7月试产25纳米(nm)的2GB DDR3SDRAM「EDJ2104BFSE／EDJ2108BFSE」样品。该公司为全球首家推出25纳米DRAM的企业，芯片面积也是世界最小。

尔必达表示，25纳米制程技术早于5月研发完成，本次是公布产品顺利生产。25纳米DRAM传送资料的速率将比30纳米更快，1针脚即有1,866Mb/秒以上，且待机耗电量减少20%。

尔必达计划于2011年底推出同等技术规格的4GB DDR3SDRAM，同时供智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)等行动装置使用的MobileRAM也有望陆续上市。