需求疲软而产量不减 DRAM市场Q3持续供过于求

第2季DRAM报价下跌幅度相当大，主要是日本311地震后，下游客户担心断链危机扩大，因此提前拉货，但最后发现PC终端需求低于预期，导致整个第2季记忆体市场都处于消化库存情况，且一直到第3季库存水位仍是偏高，因此DRAM市场持续陷入供过于求情况。

另一个让DRAM市场陷入供过于求的原因，是PC市场需求相当疲弱，整个市场需求量低于预期，连平板电脑也是雷声大雨点小，都成为DRAM市场杀手，第2季末DRAM现货价已大幅下修，7月合约价也是一路修正。

展望第3季DRAM市场，市场认为DRAM市场脱离供过于求的机率不大，一方面是PC需求不振，另一方面是DRAM大厂本身就积极驱动制程微缩，即使整个产业没有新建的晶圆厂产能，但产出仍是大增，加深DRAM市场供过于求的情况。

但以目前PC DRAM报价持续探底的情况，即使采用40纳米或30纳米制程来生产也未必能能获利，因此国际DRAM厂如三星电子(Samsung Electronics)、尔必达(Elpida)等，都加速在2011年底转进20纳米制程，以抵御价格如自由落体般的滑落。

过去DRAM价格只要暴跌，就会让系统厂愿意提升PC中的记忆体模组搭载率，但2011年眼见2Gb DDR3已濒临变动成本边缘，但系统厂并未如过去般提升记忆体模组搭载量，也是让DRAM市场持续陷入供过于求然而无法抽身的原因。