受地震影响 厂商将先满足Flash产品

市场调查机构 DRAMeXchange 11 日针对 DRAM 合约价走势发表调查报告，表示 DRAM 四月上旬合约价再度上扬，主要是由于上月日本地震令硅晶圆吃紧影响 DRAM 供应炼，加上近期传出部份 DRAM 厂在 40nm 制程良率出现问题，令 DRAM 出产受到影响，在 PC- OEM 厂商加强备货下，令合约价得以攀升。
据 DRAMeXchange 指出，受到上月日本关东地震影响，当地硅晶圆厂商虽然目前正释出手上库存，令正常供应可维持一个月以上，但如不能在近期恢复正常运作， DRAM 供应炼始终会受到冲击，使其产出受到影响，因此 PC-OEM 厂商在供货稳定的疑虑下，加强了备货意欲。
同时，近期有部份 DRAM 厂在 40nm 制程良率出现问题，使 DRAM 产出再出现变量，在种种因素之下，部份 PC- OEM 厂决定拉高库存水位，与 DRAM 厂议定合约价时亦接受较高的价格，令到四月上旬 DRAM 合约价攀升。
目前， DDR3 2GB 四月上旬合约均价达到 $18 美元，升幅约为 5.88% ； DDR3 4GB 四月上旬合约均价达到 $35 美元，升幅约为 6.1% ，平均每颗 2Gb 颗粒价格为 $2.03 美元。

据 DRAMeXchange 调查指出，日本东北大地震过后，不少 DRAM 生产商已开始将部份 DRAM 产能转向 NAND Flash 产品，其中包括业界龙头 SAMSUNG ，显见 NAND Flash 产品后市比 DRAM 产品更为看好，而据 DRAMeXchange 预期，假如硅晶圆短期内出现短缺，厂商将会以将满足 Flash 产品为优先考虑。
此外，日系的 Elipda 也已暂缓广岛厂中标准型 DRAM 生产，目前仅保留附加价值高的行动式内存生产及部份代工业务，并将标准型 DRAM 生产全数转交子公司瑞晶及代工厂力晶负责，而据 DRAMeXchange 指出，瑞晶将加速 38nm 及下半年 32nm 制程转进，即使面对投片的不确定性，亦能保持产出量不变，同时力晶方面也将拉高 45nm 制程投片与毛利较高的代工业务比例，确保获利能力不受地震影响。