GlobalFoundries携手飞思卡尔研发90纳米闪存技术

GlobalFoundries除了在28纳米制程上，宣布以28纳米高介电金属栅极(HKMG)技术，试产出全球首颗安谋(ARM)Cortex-A9架构的芯片外，同时也宣布与飞思卡尔(Freescale)合作研发90纳米闪存技术，进一步强化合作关系。
GlobalFoundries与ARM在2009年第3季宣布策略合作计划，就是看好未来广大的行动运算市场。而就在GlobalFoundries与ARM携手后，台积电也于2010年宣布与ARM，合作开发28纳米及20纳米制程嵌入式内存及标准组件库在内的实体智财产品。因此，GlobalFoundries大动作公布采用28纳米制程产出首颗ARM Cortex-A9芯片，亦被业界认为宣示意味浓厚，GlobalFoundries进一步指出，该芯片于德国德勒斯登Fab1进行试产，预计于2010年底前进行量产。
根据GlobalFoundries与ARM的估计，相较于40纳米制程，28纳米制程可望提升40%的效能、同时降低30%的功耗，并提升100%的待机电池续航力。
ARM执行副总裁Simon Segars表示，随着半导体推进先进制程，设计与制造端的合作将会更为紧密，透过ARM的硅智材与GlobalFoundries经验证的量产能力，将会对行动运算领域带来创新的平台，并且将使客户更快速进入28纳米HKMG的技术领域。
同时，GlobalFoundries也公布和飞思卡尔一系列基于90纳米闪存技术的新薄膜内存(TFS)计划，飞思卡尔计划将该技术应用于新一代的的微控制器(MCU)上，可针对从消费电子产品和家用电器到医疗设备和智能计量系统的各种应用。GlobalFoundries指出，90纳米薄膜内存技术与其它传统的NVM架构不同，采用1种创新型硅纳米晶体技术，具有位级的可靠性、速度、功率和尺寸。
根据双方的合作细节，飞思卡尔的TFS技术具有FlexMemory功能，可配置电可程序设计内存(EEPROM)，将应用于飞思卡尔ColdFire和Kinetis系列32位MCU产品。该系列产品将采用GlobalFoundries的90纳米技术制造。早期测试芯片已经在GlobalFoundries位于新加坡的Fab7进行生产，预计技术认证将于2011年上半年完成。
随着摩尔定律延伸，技术层次越高，如同台积电发展More-than-Moore技术，GlobalFoundries也寄望切入微机电(MEMS)、模拟技术等领域，拓展多样性的市场机会。 0 0