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[导读]ASML公司EUV(Extreme ultraviolet)系统产品开发经理Hans Meiling透露,其公司采用EUV alpha演示工具印制出了亚40纳米光阻图像。 Meiling在提交给SPIE微光刻大会的一篇论文中汇报了EUV领域的进展,包括EUV掩膜、可工

ASML公司EUV(Extreme ultraviolet)系统产品开发经理Hans Meiling透露,其公司采用EUV alpha演示工具印制出了亚40纳米光阻图像。

Meiling在提交给SPIE微光刻大会的一篇论文中汇报了EUV领域的进展,包括EUV掩膜、可工作晶圆和十字刻度线(reticle stages)在真空环境内的可用性和in-situ EUV系统的清洗。

Meiling和来自竞争对手尼康的Takaharu Miura都谈到了面向32纳米节点的EUV已准备就绪。Meiling透露,ASML已交付7套EUV光掩膜,另外13套即将交付。光掩膜空白符合32纳米节点对平整度的要求。ASML还演示了成功处理光滑EUV掩膜,没有出现额外缺陷。

Meiling表示,该公司计划今年上半年向Albany NanoTech及IMEC交付演示工具。

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