GDDR3显存仍在努力：海力士首创2xnm 4Gb

在中高端显卡上，GDDR5显存已经全面普及，但对于低端市场，GDDR3乃至是DDR3仍是最佳选择。韩国海力士(SK Hynix)今天宣布，已经成功开发出业内第一款2xnm工艺的GDDR3 DRAM显存颗粒，单颗容量4Gb(512MB)。

该显存工作电压首次降至1.35V，相比之前的3xnm 1.5V产品可以节省30％的功耗，更加环保，尤其适合低功耗笔记本，能为之带来桌面级的性能，同时也继续支持标准的1.5V电压。

这种显存的1.35V电压工作频率为1.8GHz，16-bit I/O下的传输带宽达3.6GB/s。如果加压到1.5V，工作频率可提升至2GHz，带宽也增至4GB/s。用在128-bit主流显卡上，总带宽分别就是28.8GB/s、32GB/s。

海力士已经开始向客户提供这种新型GDDR3显存的样品，1.35V、1.5V版本编号分别为H5TC4G63AFR、H5TQ4G63AFR。

相关消息，海力士还于日前发布了2xnm DDR3L-RS低功耗移动内存颗粒，比之美光的30nm产品工艺上更加先进。电压也是1.35V，颗粒容量2Gb、4Gb、8Gb，SO-DIMM内存条容量2GB、4GB、8GB，号称比DDR3L内存待机功耗降低最多70％，性能则处于同一水平。

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