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[导读] 11月18日消息,尽管三星超快速的eMMC闪存芯片今年8月才开始量产,该公司已经在向更先进的产品迈进。新的64GB eMMCPro Class 2000采用了10nm工艺,比之前20nm工艺的产品尺寸减小了20%,性能和生产效率却

11月18日消息,尽管三星超快速的eMMC闪存芯片今年8月才开始量产,该公司已经在向更先进的产品迈进。新的64GB eMMCPro Class 2000采用了10nm工艺,比之前20nm工艺的产品尺寸减小了20%,性能和生产效率却提升了30%。

仅仅在几个月前,三星芯片才开始采用JEDEC的 eMMC 4.5接口标准,现在该公司已计划明年跟JEDEC组织磋商,为10nm闪存芯片设计制定一个新的标准。

64GB eMMCPro Class 2000的写入速度为2000 IOPS(input/output per second,每秒输入输出次数),读取速度为5000 IOPS(据说前一代产品的写入速度和读取速度分别为1500/3500 IOPS),持续读取带宽为260 MB/s ,持续写入带宽为50MB / s。

64GB eMMCPro Class 2000已于上月底投产。不久之后,使用这种芯片的超薄手机和平板电脑可能就会出现在我们身边,无论手机和平板电脑本身是不是三星出品。

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