新内存芯片更经凑更快 挑战DRAM和Flash

一家美国创业公司开发出一种更紧凑更快的内存芯片，向DRAM和Flash芯片发起了挑战。新的内存芯片被称为交叉内存(crossbar memory)，由Crossbar研发，该公司联合创始人兼首席科学家是密歇根大学教授Wei Lu。

演示用交叉内存芯片正在台积电制造，一块200平方毫米大小的芯片能储存1TB数据，相比之下，一块类似大小的flash内存芯片只能储存16GB数据。所谓交叉内存是指出两层均匀分布棒状的电极上下叠加在一起，上层和下层呈直角，形成一个网格。数据比特就储存在交叉点。在Crossbar的芯片中，上层电极由银构成，下层由非金属导体构成，用非晶硅在交叉点储存数据。Crossbar获得了2500万美元的投资商业化Lu的研究。