当前位置:首页 > 智能硬件 > 智能硬件
[导读]这一次三星依靠在存储颗粒上的优势,量产出10nm单颗粒16Gb(2GB)的内存IC,最后可以制作出单条32GB的SO-DIMM内存。而且频率进一步提升至2666MHz水平,刚好与现在的高端第八代酷睿处理器相匹配,同时得益于10nm工艺的更低漏电率,其功耗从7.4W下降至4.5W,幅度达到39%之多,这个也为增加笔记本续航时间+1s。

 今日三星在官网宣布量产10nm工艺内存颗粒的SO-DIMM规格DDR4内存,单条最大32GB,频率最高可达2666MHz,同时运行功耗将可以下降39%之多。

 

 

以往在SO-DIMM上实现32GB内存十分费劲,比方说之前的芝奇推出的Ripjaws 3800MHz DDR4内存就是用的三星高端B-die 内存颗粒,但是需要用到四条8GB才能组成总容量32GB。而这一次三星依靠在存储颗粒上的优势,量产出10nm单颗粒16Gb(2GB)的内存IC,最后可以制作出单条32GB的SO-DIMM内存。而且频率进一步提升至2666MHz水平,刚好与现在的高端第八代酷睿处理器相匹配,同时得益于10nm工艺的更低漏电率,其功耗从7.4W下降至4.5W,幅度达到39%之多,这个也为增加笔记本续航时间+1s。

 

 

三星表示,推出高容量高规格的SO-DIMM规格内存可以帮助笔记本厂商组建性能更强游戏笔记本,同时自身还会进一步扩展10nm工艺在存储领域的利用,未来还将会推出10nm的LPDDR4、GDDR5、DDR4内存颗粒。

 

 

 

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除( 邮箱:macysun@21ic.com )。
换一批
延伸阅读
关闭