三星明年对存储器投资整体下降：DRAM投资大降20%，NAND Flash投资将增加

据日媒报道指出，因市场预期DRAM价格将在2019年之后呈现下跌趋势，三星恐将采取更为保守的策略。2019年，三星恐将减少在半导体设备上的投资额，其中DRAM的投资额预估减少20%以上，而在NAND Flash上的投资仍将持续增加。

DRAM增长趋势或将放缓

今年1-8月，DRAM的均价不断上扬，对此，半导体调研机构IC Insights认为，DRAM的平均售价(以及随后的市场增长)已达到顶峰，随着DRAM市场的产能扩充和资本支出增长，2019年DRAM市场的上升趋势或将停止。

IC Insights指出，去年DRAM产业的资本支出增加81%，今年持续攀升40%，预计未来会出现供给过剩的情况。但是与以往历史记录稍有不同的是，虽然DRAM产业的资本支出过高，但预期产能过剩的情况可能没有以往严重。因为，目前各大存储器大厂都在升级20nm制程，成本的增加意味着资本投入后的增加的产能比前几代制程少。

值得一提的是，随着合肥长鑫和福建晋华等两家大陆存储器厂商今年释出产能，或将为全球内存市场带来些许未知变数。

不过，作为全球DRAM龙头厂商，三星电子设备解决方案部门总裁金奇南 (Kim Ki-nam)稍早接受韩国联合通讯社采访时表示，今年底前DRAM芯片需求不会发生重大变化，似乎对今年DRAM价格持稳深具信心。

至于DRAM连续数季抢货的情况是否会在明年止步，金奇南则强调明年DRAM需求仍持续强劲，也暗示对明年DRAM产业持续成长维持乐观态度。

三星或大幅减少DRAM投资

三星电子近日公布的第3季财报显示，其第3季营收达17.5兆韩元(约154.7亿美元)，较2017年同期大涨20%以上，创下单季历史新高纪录。由于移动业务不断下滑，三星第3季度的主要获利依然来源于半导体业务的大幅增长。

根据媒体 采访业内5位分析师的看法，其中4位都认为三星2019年会下调半导体设备投资，另外1位则认为三星会持续增加投资，其中增加的投资主要针对于晶圆代工业务，而存储器的投资还是会减少。

报道进一步指出，三星2019年针对存储器的投资总体会减少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星将大减20%资本支出;而在NAND Flash部分，三星的投资仍将持续增加。

除此之外，SK证券指出，三星2019年的半导体策略主要是重视DRAM的价格，以及NAND闪存的市占率。为了避免获利率较高的DRAM陷入极端供应过剩局面，三星将藉由抑制投资，借此舒缓2019年DRAM价格的下跌速度。(