三星下一代20nm 4G DDR3内存已量产

今天，韩国三星公司宣布下一代4G DDR3内存开始量产，采用20nm制程工艺。三星一年前就开始筹划该款新型闪存芯片。

据内存产品参数来看，相比旧版25nm工艺DDR3内存，新款20nm DDR3内存芯片提升30%的运行效率；相比上一代30nm工艺，新一代20nm内存性能提升翻倍。

在能源消耗上，三星公司透露，相比25nm工艺DDR3内存条，新一代内存条提升25%的能源使用效率。

借助20nm工艺的闪存芯片，可以加速包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑在内移动设备的运行性能体验。

另外，三星也开始筹划未来10nm制程工艺的闪存芯片。