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Sokudo早餐会上论光刻技术趋势

时间：2010-07-20 09:22:34

关键字：光刻技术 TI MATERIALS CE

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[导读]在SEMICON West举行的Sokudo光刻论坛上对于实现22nm的各类光刻技术的进展、挑战与未来市场前景进行了热烈的讨论。作为193nm光刻技术的接替者，ASML仍是全球EUV(远紫外光光刻机) 技术的领先供应商。该公司的首台NXE31

在SEMICON West举行的Sokudo光刻论坛上对于实现22nm的各类光刻技术的进展、挑战与未来市场前景进行了热烈的讨论。

作为193nm光刻技术的接替者，ASML仍是全球EUV(远紫外光光刻机) 技术的领先供应商。该公司的首台NXE3100机器将如期发货，目前正在作最后的组装及测试。尽管如此，由于EUV技术中目前能提供的光源功率及掩模缺陷仍是此类技术的主要挑战。另外，为了达到工业使用指标急需投入大笔资金。

Nikon指出它仍继续采用两次图形曝光方法來延伸193nm高NA(数值孔径) 浸入式光刻技术。实际上，具更高出货量(>200mph) 的1.35NA光刻机己经准备推向市场，它采用倾斜分割(pitch division) 方法与间距淀积已能应用于小于22nm的光刻节点。

在论坛上第三种可能技术是无掩模光刻技术。Mapper Lithography是一家位于荷兰的公司，它们对于该类技术的现状及进展提出了报告。两种平台的设备己经在台积电与法国的CEA-Leti洁净厂房中安装。第二种平台的开发工作正与由CEA Leti领导于2009年才推出的IMAGEINE程序共同完成。

随着研发计划的发展需要，台积电与STMicronelectronics是参加IMAGEINE合作计划的第一及第二个IC制造商。目前Sokudo，TOK，Dow Electronic Materials及JSR都加入到CEA-Leti领导的开发计划之中，目的能尽快推出工业用设备以赶上工业路线图的需要。

在论坛结束时Sokudo提出它的未来涂胶与显影轨道设备的规格。通过在两次图形曝光，EUV及无掩模光刻的技术合作Sokudo将继续推动各种未来的光刻技术发展来满足市场需求。

Laurent Pain 于1996年加入CEA Leti做红外技术，于1999年被分配到微电子部做193nm及电子束光刻胶工艺。在2000年它加入STMicronelectronics的Crolles厂完成第一个193nm 光刻单元和之后它在ST的Crolles2的制造基地邦助完成电子束直接写入光刻单元。后于2008又回到Leti并被任命为光刻部经理。

Didier Louis于1985年加入CEA Leti，先后在微电子研究所担任各种角色。在2000年它作为腐蚀与去胶研发实验室经理，并从2004年1月到2007年12月他被任命为BEOL实验室副经理。在2008年他被任命为Leti 材料与先进模块实验室的副经理及纳米电子部的公共关系部经理。在2010年Didier被任命为Leti 的国际通讯部经理。

有关Sokudo：2006年6月消息，应用材料Applied Materials与日本的迪恩士电子Dainippon Screen携手合作成立Sokudo公司，将专注于开发与销售半导体制造所需要的track(涂胶与显影等)设备，Applied Materials希望藉此进入新的市场。Sokudo总部设于日本京都，DNS拥有52%的股权，Applied Materials拥有48%。DNS将把该公司现有的track业务与相关智慧财产权带入新公司，包括员工、产品;另一方面，Applied Materials也将投入技术、智慧财产权、员工与1亿5100万美元。DNS将承包Sokudo的委外制造业务。