8G手机内存时代到来，SK海力士豪掷8亿美元在华投资设厂

SK海力士公司表示，将投资127.73亿人民币在首尔南部的清州建造新工厂，以满足市场上日益增长的智能手机NAND闪存芯片需求。还将斥资54.91亿人民币在无锡建厂，以增加动态随机存取存储(DRAM)芯片的产能。去年该公司表示，将投资总额46万亿韩元提高芯片产量。

集邦科技的研究报告显示，2017年的NAND Flash产能将会增加6%，不过价格会处于稳步上扬的状态。价格上扬的主要原因来自于工艺技术的更新，2D-NAND芯片会在2017年降低占比，随后慢慢退出市场;而64层的3D-NAND要进入到市场还需要等到2017年第三季度，在此之前，NAND闪存颗粒的还是处于供不应求状态。

移动设备存储需求的增长和固态硬盘在PC、数据中心的使用已促使SK海力士对手三星电子、东芝提高在芯片生产上的投资。“为了实现进一步增长，提前确保芯片产能很重要，这样才能应对3D NAND技术引领的NAND闪存市场增长，”SK海力士在一份声明中称。

现在手机硬件配置发展迅速，其中内存容量更是扶摇直上。短短几年间，手机运行内存从256MB发展至现在的6GB，直追电脑。日前，海力士宣布出货8GB LPDDR4手机内存，旗舰手机8GB内存时代已经到来。

SK海力士最新的8GB LPDDR4内存为单芯片封装，适合用于智能手机、平板机。它整合了四颗2GB的DRAM IC，额定数据传输率3733MT/s(也就是频率3733MHz)，带宽达29.8GB/s。

该芯片21nm工艺制造，15×15毫米366/376-ball FBGA小型封装，兼容主流移动设备，可与SoC处理器、UFS NAND闪存堆叠封装，电压1.8/1.1V，现在已经开始出货。

三星两个月前同样推出了8GB LPDDR4内存，频率稍高，为4266MHz。SK海力士表示计划在明年开始量产10nm制程的DRAM芯片，业界内有消息称SK海力士的10nm晶圆已经完成制样，正在进行可靠性认证。

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