为实现未来智能系统，格芯扩展FinFET产品新特性

功能丰富的半导体平台为下一代计算应用提供具有竞争力的性能和可扩展性

21IC讯  格芯近日在其年度全球技术大会(GTC)上宣布计划在其14/12nm FinFET产品中引入全套新技术，这是公司加强差异化投资的全新侧重点之一。新工艺技术旨在为快速增长市场(如超大规模数据中心和自动驾驶汽车)应用提供更好的可扩展性和性能。

在当今数据密集的世界，对高性能芯片的需求永无止境，以处理和分析互连设备产生的信息流。格芯的FinFET产品是为最严苛的计算应用提供高性能、高功效的片上系统(SoC)设计的理想平台。

通过提供针对超高性能和增强型射频连接进行了优化的晶体管改进以及采用针对新兴企业和云安全需求的新型高速、高密度存储器，新平台将改善功耗、性能和可扩展性等性能。

格芯业务部高级副总裁Bami Bastani博士表示：“我们致力于增强发展差异化产品，帮助客户从每一代技术投资中获得更多价值。通过在FinFET产品中引入这些新特性，我们将提供强大的技术改进，使客户能够为下一代智能系统扩展性能并创造创新产品。”

格芯的14/12nm FinFET平台提供先进的性能和低功耗，具有显著的成本优势。平台添加了丰富的增强功能包括：

·超高密度：通过持续改进12LP设计库(7.5T)，并结合SRAM和先进的模拟技术，在更小的芯片区域内提供更高的晶体管密度，以支持客户的内核计算、连接和存储应用，以及移动和消费电子终端。

·性能提升：通过将SRAM Vmin降低100mV、待机漏电流降低约50%以提高性能，从而为现有应用和新兴应用(如机器学习和人工智能)提升性能。

·射频/模拟：提供全套无源器件、超厚金属和LDMOS选项，可面向含有较高数字内容的6GHz以下的RF SoC实现先进的射频性能(Ft/Fmax可达340GHz)。

·嵌入式存储器：为新兴企业、云和通信应用提供超高安全性以及一次性可编程(OTP)和多次可编程(MTP)的嵌入式非易失性(eNVM)内存。使用物理上无法检测的电荷捕获技术(CTT)实现安全解决方案，包括“物理上不可克隆的器件”功能和高效的非易失性存储器，以实现更高的SoC集成度。格芯的CTT解决方案无需额外的处理或屏蔽步骤，与基于介电熔丝技术的类似OTP解决方案相比，可提供双倍密度。

与28nm技术相比，格芯的14LPP技术可将器件性能提高55%，总功耗降低60%;而与当今市场上的16/14nm FinFET解决方案相比，格芯的12LP技术可将电路密度提高15%，性能提升10%以上。格芯前沿的FinFET平台自2016年初起已投入大规模生产，并符合汽车2级标准。