外媒：AMD也在做3D封装CPU，内存将通过硅通道连接

根据外媒的报道，AMD正在努力将内存嵌入到处理器中的单一封装中，内存将通过硅通道连接。

据介绍，在许多领域，制造商已经在研究类似的技术，比如HBM2和NAND 3D垂直堆叠。然而，对于处理器而言，这是全新的。新技术不会使实际内存更快，但会使其在整体性能方面更有效。

早在2018年末的架构日上，英特尔宣布了他们的Foveros 3D封装技术，允许芯片以新的方式堆叠在一起，创造出一个完全3D的处理器。在2018年国际消费电子展上，英特尔还公布了该公司首款Foveros 3D处理器Lakefield。

英特尔的Lakefield CPU是英特尔首款“混合处理器”，搭载单个10nm Sunny Cove处理内核以及四个较小的10nm CPU内核。这种组合使英特尔能够在低功耗范围内提供大量多线程性能，从而创建一个低功耗处理器。

英特尔的Lakefield处理器设计尺寸为12mm×12mm，3D封装，底层是I/O芯片，中间是CPU和GPU，处理器顶部是DRAM。