我化合物半导体材料技术进入世界前列

作为一种最重要、最成熟的化合物半
导体材料，砷化镓是当前国际上热门的科技前沿技术材料，我国目前已进入该技术领域的世界前
列。



记者今天从北京有色金属研究总院获悉，由该院承担的“九五”
国家重点科技攻关项目“蒸汽压控制直拉法（VCZ法）生长半绝缘砷化镓单晶新技术研究”日前通
过国家验收，利用该技术，北京有色金属研究总院成功拉制出国内第一根直径4英寸VCZ半绝缘砷
化镓单晶，使我国成为继日本、德国之后第三个掌握该技术的国家。（摘自《中国经济时报》）