SiC元件普及还需突破三大障碍
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SiC元件普及还需突破三大障碍 SiC元件价格下降的前景虽然看到，但要确保SiC元件普及，还需解决三大课题。即①进一步提高SiC元件的性能；②改善SiC基板的品质；③开发可充分发挥SiC元件优点的周边技术。
在①的元件性能方面，力争加大二极管的输出电流，以扩大应用领域。业界一直期待晶体管能够尽快实现量产。为此，还需要在提高成品率的同时，推进对特性的改善。
在②的基板品质方面，首先需要大幅降低制造成本。“要想MOSFET能够成为业务，底板的面积单价需降至目前的1/10左右”（富士电机电子技术）。 要想降低基板的成本，就必须迅速摆脱对Cree的过度依赖。要实现这一目标，就需要有众多的厂商能够制造出品质可与Cree相媲美的底板。 此外，还必须大幅提高SiC元件的生产效率，使元件的价格下降。因此，业界热切希望能够推出6英寸底板。
周边技术将成焦点在③的周边技术的改善方面，需要提高耐热性、通过周边技术减少损失，以及确立新的降噪对策。 要提高耐热性，逆变器模块的封装材料以及焊锡、控制电路、电容器等就成为考虑的对象。Si元件在200℃高温时会停止工作，因此以前的周边部件只要具备200℃以下的耐热性就足以满足要求。但SiC元件在200℃以上的高温下依然工作，因此周边部分也要能够承受200℃以上的高温。 需要通过周边技术来减少损失是因为元件产生的损失将大幅减少。
“Si元件产生的损失在电源电路整体损失中的比例高达约60％。而如果是SiC元件的话，元件产生的损失就会大幅减少。因此，电路技术及封装技术的改善就愈发重要”（产业技术综合研究所功率半导体电子研究所所长奥村元）。今后，对这些周边技术，“元件特性大幅改善，以前不能利用的布局及电路方式也有重新利用的可能性”。
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