TD终端表现稳定 发热为历史

3月30日消息，据《每日经济新闻》报道，正在进行的3G大规模测试中，TD-SCDMA制式3G手机的烫手问题开始逐渐显露。报社记者通过内部渠道试用了一次TD手机，结果手机使用了15分钟就出现发烫现象。 　　发热问题已是历史 可能为个案　　新浪科技深夜致电一位TD-SCDMA产业联盟核心企业的人士，他平静表示今天已看过这则新闻。他笑称：“自己和同事在外场测试使用TD终端没感觉到手机烫手，打几个小时不成问题。”同时他坦言，在3年前大唐有一款大块头的手机进行室内测试时，打电话时间过长电池的确会发烫。而在大约1年半前，测试人员和工程师们在一起已经不再讨论有关发热问题。　　“现在我们准备商用测试的手机没有这个问题。”他补充道：“其实在去年以及最近的汇报演示中，TD-SCDMA系统及终端的语音通话、视频流媒体、可视电话、上网等功能都表现相当稳定，且速度明显比我国现有的GPRS/CDMA 1X终端快。TD的芯片和终端厂商比较多，由于参与厂商实力不一也可能会出现终端的质量问题。目前尚不清楚《每日经济新闻》报道中提到的是哪款手机，但我们在测试中不会回避问题。”　　手机发热与3G标准无关　　时值TD规模测试敏感时期，相关受访人士均强调国家纪律，故隐去其姓名。有专家指出，《每日经济新闻》报道所述问题牵扯TD-SCDMA标准问题实数牵强，这可能是半导体工艺问题。众所周知，英特尔和德州仪器的手机芯片都在不遗余力的提高芯片制程技术，并早已开始使用90纳米工艺，故其产品发热低，这与何种3G标准无关。　　去年10月重邮信科发布世界上第一枚0.13微米工艺的TD-SCDMA手机芯片之时，新浪科技获知，有些TD芯片厂商的产品并未整合太多功能，加之开模成本考虑，测试的芯片样品依然选择了0.18微米工艺。　　TD-SCDMA芯片设计进入90纳米　　我国3G标准核心芯片的设计水平正在从0.13微米向90纳米过渡。包括三星、飞利浦、LG等均已开始与国内芯片厂商如天碁、展讯、凯明等进行合作，力图尽快验证终端产品的可靠性。　　天碁科技在芯片方面，其第二代芯片在第一代芯片基础上进一步改进，该芯片采用90纳米工艺，整体方案芯片组的芯片数量也将从原来的7颗减少到5颗；凯明借助德州仪器平台，第二代芯片也进入到90纳米工艺；而展讯则直接将其芯片方案升级，不仅是在未来产品中达到90纳米工艺，更延续目前产品中的单芯片策略。 　　此外，用户最为关心的省电问题，也得到了很好的解决。TD-SCDMA整体方案中，耗电量基本与WCDMA持平，更有甚者已经和目前市场上的GSM/GPRS手机相当，并且多模如TD-SCDMA/GSM已经成为普遍方案。