中低压变频器市场争夺，IGBT等核心器件研发能力成筹码

变频器市场中，高压变频器一直占据重要位置，而低压变频器则增长缓慢，但从2011年起，低压变频器一改低迷态势，以30%加速发展的高姿态呈现出供不应求的局面。

我国变频调速技术发展与发达国家相比还不够成熟，中高端变频器市场目前被国外品牌所占据。而我国变频器发展未来争夺的主战场将落到中低压变频器领域。变频器行业的发展，也对变频器核心电子器件提出了的新的要求和挑战。

从原来的SCR、BJT、SITH、MGT以及MCT等，变频器的核心电子器件逐渐发展为IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、HVIGBT(耐高压绝缘栅双极型晶闸管)等。核心电子器件的发展，不仅为变频器带来了更广阔的应用领域，同时也使得如IGBT等核心电子器件市场迅速发展起来。

未来变频器企业想要在市场中占据领先地位，就必须具备IGBT等核心器件的研制能力，才能够真正获得发展和竞争力。