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TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
时间：2009-01-19 08:55:29
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[导读]日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出业界首款采用 MICRO FOOT® 芯片级封装的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。Si8422DB 针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出业界首款采用 MICRO FOOT® 芯片级封装的 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。
Si8422DB 针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话等便携设备中的功率放大器、电池和负载切换进行了优化。该器件 2-mil背面涂层可实现对 MICRO FOOT 封装的顶部绝缘，以防与便携器件中移动部件暂时接触而产生的电路短路。
此绝缘设计令该器件可用于具有非常严格的高度要求的应用，从而设计人员可灵活放置 MOSFET，屏蔽、按钮或触摸屏等其他零部件可直接放置在 MOSFET 的上方，这在压低上述部件空间时将进一步压缩产品的高度。此设计灵活性还可减少寄生效应，由于无需路由至 PCB 上的区域及更少的高度限制，电路布局可更好地优化。
20V n 通道 Si8422DB 具有 1.55mm × 1.55mm 的超小尺寸及 0.64mm 的超薄厚度。该器件提供了1.8V VGS 时 0.043 Ω 至 4.5V VGS 时 0.037Ω 的低导通电阻范围，且最大栅源电压为 ±8 V。
目前，新型 Si8422DB 可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为 10 至 12 周。
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