模拟
60V TrenchFET功率MOSFET（Vishay）
时间：2009-08-25 09:16:58
手机看文章
扫描二维码
随时随地手机看文章
[导读]日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用双面冷却、导通电阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK®封装，在10V栅极驱动下的最大导通电阻为6.1Ω，比市场上可供比较的最接近器件减
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用双面冷却、导通电阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK®封装，在10V栅极驱动下的最大导通电阻为6.1Ω，比市场上可供比较的最接近器件减小了13%。
N沟道SiE876DF的目标应用是工业型电源、马达控制电路、用于服务器和路由器的AC/DC电源，以及使用负载点(POL)功率转换的系统，还可以在更高电压的中间总线转换(IBC)设计中用做初级侧开关或次级侧整流。
在这些应用中，低导通电阻的SiE876DF可以产生更低的传导损耗，从而节约能源。除了TrenchFET硅技术对降低导通损耗的贡献外，PolarPAK封装的双面冷却还能为高电流应用提供更好的热性能，这样器件可以在更低的结温下工作。PolarPAK的引线框封装设计还能提高保护性能和可靠性，此外，由于硅片不是暴露在外的，这种封装还能简化制造过程。器件的布版和其他PolarPAK器件是相同的，漏源电压等级低于150V，因此能简化PCB设计。SiE876DF还百分之百通过了Rg和UIS测试。
60V的SiE876DF现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周至十二周。
下载文档本站声明： 本文章由作者或相关机构授权发布，目的在于传递更多信息，并不代表本站赞同其观点，本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者，如若文章内容侵犯您的权益，请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读
迪拜2022年6月2日 /美通社/ -- 美的MDV8多联机海外发布会日前在迪拜圆满举行。大会聚焦行业发展趋势，多联机行业痛点。行业领袖共聚一堂，共绘行业发展蓝图，带来一场信息共享、突破创新的智慧盛宴。 ...
关键字： 美的 BSP 器件 CONDITIONER
热门文章
编辑精选
更多
论坛活动
技术子站
更多
资料下载
更多
技术学院
- TrendForce集邦咨询：存储器产业2026年资本支出仍显保守，对位元产出成长助力有限
- TrendForce集邦咨询: 新机带动需求回温，2025年第三季度全球智能手机面板出货量季增8.1%
- TrendForce集邦咨询: 预计2026年CSP合计资本支出增至6,000亿美元以上，AI硬件生态链迎新成长周期
- TrendForce集邦咨询: 预计2035年全球固态电池需求量将达到740GWh
- TrendForce集邦咨询: CSP、主权云需求持续强劲，预估2026年AI Server出货将年增逾20%
- TrendForce集邦咨询: DRAM供应吃紧推高DDR5合约价，2026年获利有望超越HBM3e
- 罗姆面向下一代800 VDC架构发布电源解决方案白皮书
- TrendForce集邦咨询：IT OLED面板大世代竞争升温，FMM阵营领跑、FMM-free阵营加速推进
