飞兆100V BoostPak解决方案提高可靠性，降低成本

时间：2013-06-05 15:14:31

关键字：飞兆 BOOST MIDDOT FDD

[导读]集成解决方案将 MOSFET 和二极管置于一个封装内，简化了电路板装配并节省了空间21ic讯飞兆半导体公司是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商，通过引入 100 V BoostPak 设备系列优化 MOSFET 和二极

集成解决方案将 MOSFET 和二极管置于一个封装内，简化了电路板装配并节省了空间

21ic讯飞兆半导体公司是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商，通过引入 100 V BoostPak 设备系列优化 MOSFET 和二极管选择过程，将 MOSFET 和二极管集成在一个封装内，代替 LED 电视 / 显示器背光、LED 照明和 DC-DC 转换器应用中目前使用的分立式解决方案。

通过将 MOSFET 和二极管集成到一个独立封装内，FDD1600N10ALZD和FDD850N10LD设备节省了电路板空间，简化了装配，降低了材料清单成本并改进了应用的可靠性。

该元件的N沟道MOSFET采用飞兆半导体 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺专用于最小化导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 NP二极管为超快速整流器，带低正向导通压降，具有出色的开关性能。与肖特基二极管相比，其泄漏电流更低，改进了高温应用中的系统可靠性。

主要功能：

FDD1600N10ALZD:

· RDS(ON) = 124 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V，ID = 3.4 A

· RDS(ON) = 175 mΩ(典型值)@ VGS = 5 V，ID = 2.1 A

· 低栅极电荷 = 2.78 nC(典型值)

· 低反向电容 (Crss) = 2.04 pF(典型值)

FDD850N10LD:

· RDS(ON) = 61 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V，ID = 12 A

· RDS(ON) = 64 mΩ(典型值)@ VGS = 5.0 V，ID = 12 A

· 低栅极电荷 = 22.2 nC(典型值)