应用材料公司推出15年来在互连科技中最大的材料变革

21ic讯 应用材料公司推出Applied Endura® Volta™ CVD Cobalt 系统，这是现今唯一一款在逻辑芯片铜互连工艺中能够通过化学气相沉积实现钴薄膜的系统。钴薄膜在铜工艺有两种应用，平整衬垫(Liner)与选择性覆盖层(Capping Layer)，将铜互连的可靠性提高了一个数量级。这一应用是15年来铜互连技术材料方面最显著改变。

应用材料公司执行副总裁兼半导体事业部总经理Randhir Thakur博士指出：“对于器件生产商来说，芯片中连接着上亿个晶体管线路，连线的性能与可靠性是极其重要的。随着摩尔定律的推进，线路尺寸越来越小，减少影响器件工作的空隙与防止电迁移失效就显得更加必要”。基于应用材料公司业界领先的精密材料工程技术所建立的Endura Volta 系统，可通过提供以CVD为基础的平整衬垫与选择性覆盖层，克服了良率极限，帮助我们的客户将铜互连技术推进到28纳米及以下。

基于Endura Volta CVD系统的钴工艺包括两个主要的工艺步骤。第一步是沉积一层平整的薄钴衬垫膜，相对于典型的铜互连工艺，钴的应用可为有限的互连区域填充铜提供更大的空间。这一步骤通过在同一平台，超高真空下整合预清洗(Pre-clean)/ 阻挡层(, PVD Barrier)/ 钴衬垫层(CVD Liner)/ 铜种子层(Cu Seed)制程，以改进器件的性能与良率。

第二个步骤在铜化学机械研磨(Cu CMP)之后，沉积一层选择性CVD 钴覆盖膜，改善接触界面，进而提高器件的可靠性，可达到80倍。

应用材料公司副总裁兼金属沉积产品事业部总经理Sundar Ramamurthy博士指出：“应用材料公司独特的CVD 钴制程是一种基于材料创新的解决方案。在近十年的开发中取得的这些材料与制程的创新，正在被我们的客户接受并用于制造高性能移动与服务器芯片。