TDK推出薄膜电容器 具有更多端子配置和更高电容值的缓冲电容器

21ic讯 TDK公司扩展了旗下爱普科斯(EPCOS) 缓冲薄膜电容器产品系列，现可提供具有17种不同的端子配置的产品，以保护市面上更多的IGBT模块不受电压峰值损坏。

MKP B32656S*至B32658S*系列缓冲电容器具有超高的脉冲强度和触点可靠性，同时具有极低的ESL值;电压范围为850V DC至2000V DC，电容值范围为68 nF至5.6 µF;共有17种镀锡铜端子配置可选，孔距为19.5至63 mm。所有系列的电容器工作温度最高可达+110 °C。

术语IGBT：IGBT指绝缘栅双极型晶体管，是一种半导体元件，主要应用于变频器中的电力开关

主要应用保护变频器中的IGBT模块不受电压峰值损坏

主要特点与优势共17中端子配置可选

高脉冲强度，工作电压高达2000 V DC

高电容值，最高可达5.6 µF