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[导读]21ic讯 TDK集团最近发布了新一代爱普科斯 (EPCOS) CeraLink™,该产品能为基于SiC-和GaN-半导体的快速开关转换器的缓冲和直流链路提供极其紧凑的解决方案。这些新型电容器基于陶瓷材料PLZT(锆钛酸铅镧)。与传统

21ic讯 TDK集团最近发布了新一代爱普科斯 (EPCOS) CeraLink™,该产品能为基于SiC-和GaN-半导体的快速开关转换器的缓冲和直流链路提供极其紧凑的解决方案。这些新型电容器基于陶瓷材料PLZT(锆钛酸铅镧)。与传统的陶瓷电容器相比,CeraLink在施加应用电压下能达到其最大的电容值,这种电容随电压相应增加的特性能更好的控制纹波电压。CeraLink系列体积最小的一款是SMD低剖面型号,尺寸仅为4.25 mm x 7.85 mm x 10.84 mm,额定电压为500 V DC,电容值为1µF。另外,还有一款配置了焊针压接型号也面市,该电容容值为20-µF,额定电压为500 V DC,尺寸为33.00 mm x 22.00 mm x 11.50 mm。两种型号的ESL值都极低,小于3.5nH。该系列电容器采用专业设计,工作温度范围为-40至+125 °C,短时间甚至能耐受高达150 °C的高温。由于尺寸紧凑,CeraLink SMD低剖面型电容器的一大优势便是可嵌入到IGBT模块,最大限度降低了电感值,因此在半导体器件开通关断工作时,不会产生明显的过压。

此外,我们可提供两种以上型号的样品:SMD型号的额定电压为500 V DC,电容值为5µF,尺寸为3.25 mm x 14.26 mm x 9.35 mm;配置了焊针压接型号的额定电压为1000 V DC,电容值为5µF,尺寸为33.00 mm x 22.00 mm x 11.50 mm。主要应用用于SiC 和GaN电源半导体的Snubber电路和DC-link电路

主要特点和效益ESL值极低,小于3.5 nH

工作温度范围:-40 °C 至+125 °C,可耐受高达+150 °C的瞬态高温

额定电压为500和1000 V DC

电容值为1µF、5µF和20µF

可嵌入到IGBT模块

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