瑞萨推出650V/1250V耐圧IGBT新产品，性能提高30％

[导读]瑞萨电子近日发布了性能指数(FOM)较上代产品最高改善了30%的 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)新产品“G8H系列”，已开始供应样品。FOM是开关损耗与集电极-发射极间饱和电压(VCE(sat))的乘积，FOM越

瑞萨电子近日发布了性能指数(FOM)较上代产品最高改善了30%的 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)新产品“G8H系列”，已开始供应样品。FOM是开关损耗与集电极-发射极间饱和电压(VCE(sat))的乘积，FOM越小则性能越高。这是瑞萨的第8代IGBT，特点是采用了该公司独有的沟槽栅结构。由此降低了造成导通损耗的集电极-发射极间饱和电压，同时成功降低了开关损耗。G8H系列适用于光伏发电用逆变器及不间断电源(UPS)等配备的逆变器(DC-AC转换器)电路。

新产品有耐压为+650V和+1250V两大类，各有最大集电极电流不同的3款产品。+650V耐压的3款产品分别是，最大集电极电流为 40A(100℃时)的“RBN40H65T1GPQ-A0(40A)”、50A(100℃时)的“RBN50H65T1GPQ-A0(50A)”及 75A(100℃时)的“RBN75H65T1GPQ-A0(75A)”。这三款产品的栅极-发射极间电压为±30V，集电极-发射极间饱和电压为 1.5V，栅极-发射极间截止电压为+5.0～6.8V。封装均为TO-247。

+1250V耐压的3款产品分别为最大集电极电流为25A(100℃时)的“RBN25H125S1GPQ-A0(25A)”、40A(100℃时)的“RBN40H125S1GPQ- A0(40A)”及75A(100℃时)的“RBN75H125S1GP4-A0(75A)”。栅极-发射极间电压为±30V，集电极-发射极间饱和电压为2.1V，栅极-发射极间的截止电压为+5.0～6.8V。25A产品和40A产品采用TO-247封装，75A产品为TO-247plus封装。

新产品还降低了开关工作时产生的噪声。因此不再需要外置栅极电阻来降低噪声。通过使封装内侧的散热用金属板露出，提高了散热特性。因此，工作接合部温度的最高值高达+175℃。样品价格方面，650V/50A产品为330日元(不含税)。新产品将于2016年9月开始量产，2017年3月开始以月产60 万个的规模量产。今后瑞萨还将G8H系列的产品，计划推出用于家电及工业设备的产品等。