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RAMTRON 推出2兆位并行存储器产品
时间：2007-10-12 13:24:00
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[导读]Ramtron International Corporation推出2兆位 (Mb) 并行存储器产品，进一步扩展其高密度F-RAM系列。
Ramtron International Corporation推出2兆位 (Mb) 并行存储器产品，进一步扩展其高密度F-RAM系列。FM21L16是采用44脚TSOP-II封装的3V、2Mb并行非易失性RAM，具有访问速度快、NoDelay™ 无写等待、无限次读/写和低功耗等特点。FM21L16与异步静态RAM (SRAM) 管脚兼容，其目标应用是以SRAM为基础的工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏与计算机应用等。
FM21L16是128K x 16 非易失性存储器，采用工业标准并行接口，能以总线速度进行读写操作，使用寿命超过100万亿次写入和超过10年的数据保存能力。该器件的存取时间为60ns，周期为110ns，内置先进的写保护配置以避免意外的写操作及数据损坏。
2Mb F-RAM是标准异步SRAM的直接替代产品，而毋需电池进行数据备份，从而显著改进系统结构与可靠性。与电池支持的SRAM不同，FM21L16是真正的表面贴装解决方案，不需要提供附加电池的重写入操作，且防止潮湿、冲击和振动的危害。
FM21L16具备能与当前高性能微处理器相连的工业标准并行接口，兼具高速页面模式，能够实现每秒80兆字节的峰值带宽，是市场上速度最快的非易失性存储器方案之一。该器件较标准SRAM具有更低的工作电流，读/写操作时为18mA，在超低电流睡眠模式下仅为5uA。FM21L16在整个工业级温度范围内 (-40℃至 +85℃) 于2.7至3.6V电压下工作。
采用符合RoHS要求44脚TSOP-II封装的FM21L16现已提供样品。
FM21L16是128K x 16 非易失性存储器，采用工业标准并行接口，能以总线速度进行读写操作，使用寿命超过100万亿次写入和超过10年的数据保存能力。该器件的存取时间为60ns，周期为110ns，内置先进的写保护配置以避免意外的写操作及数据损坏。
2Mb F-RAM是标准异步SRAM的直接替代产品，而毋需电池进行数据备份，从而显著改进系统结构与可靠性。与电池支持的SRAM不同，FM21L16是真正的表面贴装解决方案，不需要提供附加电池的重写入操作，且防止潮湿、冲击和振动的危害。
FM21L16具备能与当前高性能微处理器相连的工业标准并行接口，兼具高速页面模式，能够实现每秒80兆字节的峰值带宽，是市场上速度最快的非易失性存储器方案之一。该器件较标准SRAM具有更低的工作电流，读/写操作时为18mA，在超低电流睡眠模式下仅为5uA。FM21L16在整个工业级温度范围内 (-40℃至 +85℃) 于2.7至3.6V电压下工作。
采用符合RoHS要求44脚TSOP-II封装的FM21L16现已提供样品。
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