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微波NPN晶体管BFU725F（NXP）
时间：2007-11-07 09:33:00
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[导读]恩智浦半导体（NXP Semiconductors）（由飞利浦创建的独立半导体公司）发布了BFU725F微波NPN晶体管，这是一系列硅基分立器件解决方案中的第一款产品。
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）（由飞利浦创建的独立半导体公司）发布了BFU725F微波NPN晶体管，这是一系列硅基分立器件解决方案中的第一款产品。BFU725F具有高开关频率、高增益和超低噪音等多重特点，使其成为各种RF应用的理想解决方案。超低噪声可以改善各种无线设备（例如GPS系统、DECT电话、卫星无线电设备、WLAN/CDMA应用）中灵敏的RF接收器的接收效果，而超高断开频率则可以很好地满足运行频率在10 GHz到30 GHz以内的各种应用（例如卫星低噪音电路块）的需求。
为解决当今设备的性能需求和生产商考虑的成本问题，BFU725F晶体管在开发时使用了恩智浦用于分立器件的硅锗碳（SiGeC）工艺技术，该工艺还用于开发单片IC和宽带晶体管。
除已经上市的解决方案外，包括TFF1004HN（用于卫星低噪音电路块的高度集成IC）和BFU725F微波晶体管，恩智浦正在开发其他几种硅基宽带晶体管和MMIC（单片微波IC），预计将于今年年底和2008年年初面世。
BFU725F符合RoHS标准，可达到极低的噪音（1.8 GHz时0.43 dB / 5.8 GHz时0.7 dB）和很高的最大稳定增益（1.8 GHz时27 dB / 18 GHz时10 dB）。独有特点包括高达fT 70 GHz的开关频率并封装在SOT343F塑料表面贴装封装包中。
恩智浦的BFU725F微波晶体管现已大批量上市。
为解决当今设备的性能需求和生产商考虑的成本问题，BFU725F晶体管在开发时使用了恩智浦用于分立器件的硅锗碳（SiGeC）工艺技术，该工艺还用于开发单片IC和宽带晶体管。
除已经上市的解决方案外，包括TFF1004HN（用于卫星低噪音电路块的高度集成IC）和BFU725F微波晶体管，恩智浦正在开发其他几种硅基宽带晶体管和MMIC（单片微波IC），预计将于今年年底和2008年年初面世。
BFU725F符合RoHS标准，可达到极低的噪音（1.8 GHz时0.43 dB / 5.8 GHz时0.7 dB）和很高的最大稳定增益（1.8 GHz时27 dB / 18 GHz时10 dB）。独有特点包括高达fT 70 GHz的开关频率并封装在SOT343F塑料表面贴装封装包中。
恩智浦的BFU725F微波晶体管现已大批量上市。
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