夏普首次试制的氧化物TFT液晶面板公开发表

在显示器技术国际学会“16th International Display Workshops（IDW 09）”的氧化物TFT分会上，夏普就首次试制的氧化物TFT液晶面板进行了技术发表。日本的大型厂商追赶面板试制开发处于领先地位的韩国厂商，这对日本未来的发展是一件值得欣喜的事情。在开发者见面会（Authors interview）上演示的2.6英寸QVGA（320×240像素）面板的完成度也很高，由此可以看出夏普为开发该产品进行了全力投入。

　图为夏普开发的氧化物TFT液晶面板

TFT结构为传统的反向通道蚀刻（Back Channel Etch）型。氧化物半导体采用IGZO（In-Ga-Zn-O）。

特性偏差方面，通过对320mm×400mm底板上的21个点进行测量，迁移率μ＝13.4±0.9cm2/Vs（σ＝0.5），阈值电压Vth＝3.0±0.4V（σ＝0.2）。对于人们关心的可靠性，夏普称基于DC偏压应力的Vth偏移在25℃下为非晶硅（a-Si）TFT的1/4左右程度，在85℃下是其1/10左右。基于脉冲偏压的Vth偏移在60℃下为a-Si TFT的70％左右。该公司称，作为液晶面板工作时，在60℃条件下，其TFT特性1000小时内不会发生变化。

另外，夏普还介绍说，利用该IGZO TFT试制出了与前一天发布的微晶硅TFT液晶面板相同的微晶硅TFT12.1英寸WXGA面板，并进行了现场演示。遗憾的是该公司并没有在开发者见面会上进行演示，面板的参数如下：

从面板的特性及可靠性方面来看，虽然内置扫描驱动电路及多路分配器（DeMUX：De-multiplexer）电路的难度较高，但不久的将来也有可能实现。此次的技术发布中提到了论文中没有提及的面板，这说明开发速度非常快，今后还有望开发出新面板。 (编辑：小舟）