下变频SiGe混频器MAX19996A(Maxim)
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Maxim推出带有片内LO缓冲器的完全集成、2000MHz至3900MHz下变频混频器MAX19996A。器件采用Maxim专有的单片SiGe BiCMOS工艺设计，集优异的线性度、噪声性能和高度的器件集成特性于一体，能够工作于极宽的频段范围。MAX19996A提供完全集成的下变频通道，具有+24.5dBm (典型值) IIP3、8.7dB (典型值)转换增益和9.8dB (典型值)噪声系数。此外，器件具有业内最佳的2LO-2RF杂散抑制：-10dBm RF电平下为67dBc，-5dBm RF电平下为62dBc。MAX19996A专为3G/4G无线基础设施应用而设计，在这些应用中高线性度和低噪声系数对增强接收器的灵敏度和抗阻塞性能至关重要。器件支持2.3GHz至2.9GHz WCS、LTE、WiMAX™和MMDS基站中的高边和低边LO注入架构，此外MAX19996A还可以配置为3.1GHz至3.9GHz WiMAX和LTE低边注入架构。
MAX19996A作为完备的SiGe下变频器，集成了业内领先的混频器核、2个放大器、2个非平衡变压器和多个分立元件。器件的8.7dB转换增益省去了接收通道中的整个IF放大级。MAX19996A优异的2LO-2RF性能还简化了相邻谐波分量的滤波要求，从而简化了滤波器设计，降低了成本。器件集上述功能与优异的性能于一身，使下变频器方案尺寸减小了一半，分立元件数量减少了34%。
MAX19996A提供紧凑的5mm x 5mm、20引脚TQFN封装，与MAX19996 (2000MHz至3000MHz单路混频器)引脚兼容。器件还与MAX9993/MAX9994/MAX9996 (1700MHz至2200MHz混频器)和MAX9984/MAX9986 (400MHz至1000MHz混频器)引脚类似。该系列下变频器非常适合多个频段采用相同PCB布局的应用。
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