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[导读]凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出LTPoE++™、PoE+ 和 PoE 兼容受电设备 (PD) 接口控制器 LT4276,该器件面向需要 2W 至 90W 功率的应用。LT4276 集成了一个 PD 控制器和一个隔离式开关稳压器控制器,能够在辅助电源的支持下以正激和反激式拓扑实现同步工作。这种集成通过减少组件数量和所占用的电路板面积,简化了前端 PD 设计,从而允许 LT4276A (LTPoE++)、LT4276B (PoE+) 和 LT4276C (PoE) 仅用一个 IC 高效地为 PD 负载供电。 通过将功率预算扩展至 4 个新的功率级 (38.7W、52.7W、70W 和 90W),凌力尔特的 LTPoE++ 标准扩展了对如今那类功率非常高的应用之支持,例如微微蜂窝基站、标牌和室外安防摄像机。与集成功率 MOSFET 的传统 PD 控制器不同,LT4276 控制一个外部 MOSFET,以显著地降低 PD 产生的总体热量并最大限度提高电源效率,这在较高功率级时尤其重要。这种新方法允许用户按照应用的具体热量及效率要求调整 MOSFET,从而允许在必要时使用 RDS(ON) 低至 30mΩ 的MOSFET。100V 额定输入电压意味着,LT4276 很容易承受最常见的以太网电压浪涌而不被损坏,并针对这种浪涌保护 PD。

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出LTPoE++、PoE+ 和 PoE 兼容受电设备 (PD) 接口控制器 LT4276,该器件面向需要 2W 至 90W 功率的应用。LT4276 集成了一个 PD 控制器和一个隔离式开关稳压器控制器,能够在辅助电源的支持下以正激和反激式拓扑实现同步工作。这种集成通过减少组件数量和所占用的电路板面积,简化了前端 PD 设计,从而允许 LT4276A (LTPoE++)、LT4276B (PoE+) 和 LT4276C (PoE) 仅用一个 IC 高效地为 PD 负载供电。

通过将功率预算扩展至 4 个新的功率级 (38.7W、52.7W、70W 和 90W),凌力尔特的 LTPoE++ 标准扩展了对如今那类功率非常高的应用之支持,例如微微蜂窝基站、标牌和室外安防摄像机。与集成功率 MOSFET 的传统 PD 控制器不同,LT4276 控制一个外部 MOSFET,以显著地降低 PD 产生的总体热量并最大限度提高电源效率,这在较高功率级时尤其重要。这种新方法允许用户按照应用的具体热量及效率要求调整 MOSFET,从而允许在必要时使用 RDS(ON) 低至 30mΩ 的MOSFET。100V 额定输入电压意味着,LT4276 很容易承受最常见的以太网电压浪涌而不被损坏,并针对这种浪涌保护 PD。

LT4276 有工业和扩展温度级版本,分别支持 –40°C 至 85°C 和 –40°C 至 125°C 工作温度范围,采用符合 RoHS 标准的小型 28 引线 4mm x 5mm QFN 封装。LT4276 的千片批购价为每片 2.25 美元,已开始批量供货。LT4276 提供了从凌力尔特现有 PD 产品升级的途径,包括 LT4275 LTPoE++ PD 控制器,LT4276 还可无缝地连接至任何凌力尔特最新的 PSE 控制器,包括单端口 LTC4274、4 端口 LTC4266、8 端口 LTC4290 / LTC4271 芯片组和 12 端口 LTC4270 / LTC4271 芯片组。LT4276 还可以与 LT4321 理想二极管桥式控制器一起使用,以最大限度提高可用功率,并减少在 PD 产生的热量。

照片说明:90W 以太网供电 PD 接口控制器

性能概要:LT4276

·具正激 / 反激式控制器的 IEEE 802.3af/at 和 LTPoE++ 90W 受电设备控制器

·LT4276A 支持以下所有标准:

oLTPoE++ 38.7W、52.7W、70W 和 90W

o符合 IEEE 802.3at (25.5W) 规范

o符合 IEEE 802.3af (高达 13W) 规范

·LT4276B 符合 IEEE 802.3at/af 规范

·LT4276C 符合 IEEE 802.3af 规范

·出色的浪涌保护 (100V 绝对最大值)

·宽结温范围 (–40°C 至 125°C)

·低至 9V 的辅助电源支持

·反激式操作无需光隔离器

·外部热插拔 (Hot Swap™) N 沟道 MOSFET 用于实现最低功耗和最高的系统效率

·利用 LT4321 理想二极管桥可实现 >94% 的端到端效率

·采用 28 引线 4mm x 5mm QFN 封装

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