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新系列半桥600V及1200V IGBT模块（Vishay）
时间：2008-03-14 21:39:00
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[导读]日前，Vishay Intertechnology, Inc推出采用业界标准 Int-A-Pak 封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)。
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用业界标准 Int-A-Pak 封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)。该系列由八个 600V 及 1200V 器件组成，这些器件采用多种技术，可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。
日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 IGBT 技术。GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF采用标准穿通 (PT) IGBT 技术，而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF 及 GA100TS120UPbF器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第 4 代技术。GB100TS60NPbF、GB150TS60NPbF 及GB200TS60NPbF 模块采用第 5 代非穿通 (NPT) 技术，可实现 10µs 短路功能的额外优势。
其中GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF 是专为高达 1kHz 硬开关工作频率而进行优化设计的标准速度器件；其他六个 IGBT 是与用于桥配置的 HEXFRED® 超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块，这些超快速器件可在硬开关中实现 8kHz～60kHz 的高工作频率，在共振模式下可实现 200kHz 以上的工作频率。
Vishay 此次推出的全新 IGBT 系列具有 75A～200A 的高额定电流及低功耗，该系列器件专为高频工业焊接、UPS、SMPS、太阳能转换器及电动机驱动应用中的隔离与非隔离转换器、开关、逆变器及斩波器而进行了优化。特别在输出逆变器 TIG 焊机应用中，这些 IGBT在额定电流时提供了当前市场上“S”系列模块中最低的 Vce(on) 。
上述全新 IGBT 系列器件均采用无铅 (Pb)化工艺，可轻松地直接安装到散热片上。这些器件具有低 EMI，可减少缓冲，并可提供超低的结到外壳热阻。
目前，这些新型 IGBT 模块的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 8 周。
日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 IGBT 技术。GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF采用标准穿通 (PT) IGBT 技术，而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF 及 GA100TS120UPbF器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第 4 代技术。GB100TS60NPbF、GB150TS60NPbF 及GB200TS60NPbF 模块采用第 5 代非穿通 (NPT) 技术，可实现 10µs 短路功能的额外优势。
其中GA100TS60SFPbF 和GA200HS60S1PbF 是专为高达 1kHz 硬开关工作频率而进行优化设计的标准速度器件；其他六个 IGBT 是与用于桥配置的 HEXFRED® 超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块，这些超快速器件可在硬开关中实现 8kHz～60kHz 的高工作频率，在共振模式下可实现 200kHz 以上的工作频率。
Vishay 此次推出的全新 IGBT 系列具有 75A～200A 的高额定电流及低功耗，该系列器件专为高频工业焊接、UPS、SMPS、太阳能转换器及电动机驱动应用中的隔离与非隔离转换器、开关、逆变器及斩波器而进行了优化。特别在输出逆变器 TIG 焊机应用中，这些 IGBT在额定电流时提供了当前市场上“S”系列模块中最低的 Vce(on) 。
上述全新 IGBT 系列器件均采用无铅 (Pb)化工艺，可轻松地直接安装到散热片上。这些器件具有低 EMI，可减少缓冲，并可提供超低的结到外壳热阻。
目前，这些新型 IGBT 模块的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 8 周。
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