电源
N沟道芯片级功率MOSFET（Vishay）
时间：2010-07-26 23:04:13
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[导读]日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界最小和最薄的N沟道芯片级功率MOSFET --- Si8800EDB，该器件也是面积低于1mm2的首款产品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界最小和最薄的N沟道芯片级功率MOSFET --- Si8800EDB，该器件也是面积低于1mm2的首款产品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可减少在便携式电子产品中占用的空间。
随着便携式产品变得愈加小巧，器件的尺寸成为选择器件的重要因素，因为按键和电池占用了大部分空间，使PCB的面积受到极大限制。Si8800EDB具有超小的外形和厚度，比同样采用芯片级封装的尺寸第二小的N沟道器件小36%，薄11%，能够实现更加小巧且功能更多的终端产品。
由于采用无封装技术且增大了管芯面积，Si8800EDB的芯片级封装提供了单位面积上极低的导通电阻。MOSFET在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下的最大导通电阻分别为80mΩ、90mΩ、105mΩ和150mΩ。
新器件的典型应用包括负载开关和手机、PDA、数码相机、MP3播放器和智能手机等便携式设备中的小信号切换。Si8800EDB的低导通电阻可延长这些产品中两次充电之间的电池寿命。
Si8800EDB的典型ESD保护为1500V，符合RoHS指令2002/95/EC，符合IEC 61249-2-21定义的无卤素规范。
新款功率MOSFET现可提供样品，将在2010年第二季度实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。
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