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[导读]背靠背MOSFET管Q1-A和Q1-B都接到V(IN1)(5V)电源,而Q3-A和Q3-B接到V(IN2)(3.3V)电源。使用背靠背MOSFET管的原因是防止内部二极管与5V和3.3V电源短路。LTC1645的Gate1引脚控制Q3-A和Q3-B,Gate2引脚控制Q1-A和Q

背靠背MOSFET管Q1-A和Q1-B都接到V(IN1)(5V)电源,而Q3-A和Q3-B接到V(IN2)(3.3V)电源。使用背靠背MOSFET管的原因是防止内部二极管与5V和3.3V电源短路。LTC1645的Gate1引脚控制Q3-A和Q3-B,Gate2引脚控制Q1-A和Q1-B。ON引脚对Gate1的导通门限电压为0.8V,对Gate2的导通门限电压为2.0V。V(CC1)和V(CC2)引脚的欠压锁定门限分别为2.3V和1.2V。因为图1所示电路选用了两个电源电压,所以有可能出现以下两种情况:

 

图1:LTC1645与LTCI1735(采用SEPIC变换器)构成3.3V和5V热插拔电路

---- 情况1:提供5V和3.3V电源
---- 当5V和3.3V电源电压分别加到V(IN1)和V(IN2)时,D1将V(CC1),V(CC2),Sense1和Sense2引脚上拉到大约4.7V,用来清除V(CC1)和V(CC2)的欠压锁定门限。COMP(+)引脚被R2与R6构成的分压器上拉到2.5V。因为COMP(+)引脚的电压(内部比较器的同相输入端)比1.24V门限电压高,所以COMPOUT引脚(比较器的漏极开路输出)被R7上拉到5V。这样使Q5导通,并将Q3-A和Q3-B的栅极下拉到地。ON引脚被R1,R4和R8上拉到2.74V左右。在一个工作周期(t=C2·1.24V/2μA)之后,来自电荷泵的10μA内部电源源接到Gate1和Gate2引脚。Gate1引脚被Q5下拉到地,而Gate2引脚的电压开始上升,其斜率规定为dV/dt=10μA/C1。内部电荷泵保证Gate2引脚电压大约上升到12V。当Gate2引脚上升到1V左右时,Q1-A和Q1-B开始导通,并且V(OUT_HOT_SWAP)开始上升。输出电压将平稳地上升输入电压,这里是5V。图2分别示出了Gate2和V(OUT_HOT_SWAP)引脚电压分别上升到12V和5V时的特性曲线。

图2:V(GATE2)和V(OUT_HOT_SWAP)引脚电压分别增加到12V和15V

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