电源
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磁珠在PCB电路设计中的选用
1。磁珠的单位是欧姆，而不是亨特，这一点要特别注意。因为磁珠的单位是按照它在某一频率产生的阻抗来标称的，阻抗的单位也是欧姆。磁珠的 DATASHEET上一般会提供频率和阻抗的特性曲线图，一般以100MHz为标准，比如1
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LED数字电子钟的设计
LED电子钟的制作方法在很多电子报刊杂志上都可以见到，但大多数在断电后都要重新设置时间等参数，给使用带来很多不便。也有用后备电池作为备用电源的，但往往体积较大。本文介绍的LED电子钟克服了以往的弊端，而且采
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高通半导体推出多国正版字库芯片
21ic讯 上海高通半导体有限公司，在深圳IIC-China 2011展览会期间隆重宣布推出三款新产品，扩充高通品牌旗下GT20系列标准点阵字库芯片产品线。其中，新款173国语言标准点阵字库芯片GT20L24F6Y和日文字库芯片GT20L16J
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Buck型变换器数字PID控制器设计方法研究
摘要：Buck 型变换器包括Buck 变换器及其衍生的全桥变换器。文中以Buck 型变换器为控制对象，给出了频域补偿设计中模拟PID 控制器的零极点配置原则，实现了其比例、积分、微分系数的整定。在此基础上，运用连续系统
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全球LED背光电视面板渗透率Q2达50%
大尺寸TFT-LCD液晶面板采用LED背光源设计比例越来越高。根据市场研究机构DisplaySearch调查，2010年第四季全球LED背光LCD TV电视面板出货量达到1660万片，尤其侧光式设计强劲成长，全年LED背光LCD TV渗透率约达21%（
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TI推出两款DaVinci数字媒体处理器
• 业界最高性能的视频引擎能实现近乎于零的时延，可为多用户高清会议实现逼真的通信体验 • 具有 ARM® 与 DSP 内核以及视频图形加速器的集成芯片可同时处理三个 1080p60 fps 视频流，支持最新应用与直
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Philips Lumileds将展示新一代LUXEON LEDs
LUXEON S正在本周进行其首次亮相，并准备改变人们对于来自Philips Lumileds最新一代LUXEON LEDs所能达到的水平的期望。以商店投光灯和筒灯应用为出发点进行设计的LUXEON S 使简便，高效的照明成为可能。商店照明往往
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多模3G手机前端电路设计
RF6280 DC-DC转换器相当于一个脉冲宽度调制(PWM)电压模式控制器，可以把Vset电压提高到2.5倍[Vout=2.5(Vset)]。利用直流直流转换器对每个功率级上的PA集电极电压进行优化，电池耗电量的减小差不多等于Vout/Vin之比。
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智能手机中的音频设计
当手机不断地整合包括照相、游戏、数据、视频等各种功能于一身时，它已摇身变成一个多媒体应用的播放平台，可说是朝细致而微的随身型迷你计算机发展。在定位上，这样的手机有别于既有的纯粹语音的手机(Voice phone)或
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不同类型无触点开关的性能比较
1 前言 传统的集成模拟开关电路如ADG211系列等由于其接触电阻在几十Ω至数百Ω范围，不能满足功率器件的开关控制要求。由于半导体技术的发展，目前已经有诸多无触点开关可供设计者选用。无触点开关在电
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不同类型无触点开关的性能比较
1 前言 传统的集成模拟开关电路如ADG211系列等由于其接触电阻在几十Ω至数百Ω范围，不能满足功率器件的开关控制要求。由于半导体技术的发展，目前已经有诸多无触点开关可供设计者选用。无触点开关在电
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基于C8051FF330D单片机的程控恒流源设计
摘要： 给出了用C8051FF330D的内部电流型D/A转换器和电流/电压转换电路来输出0～4V的模拟信号量， 用于控制恒流源输出电流， 并使其按设定的值进行变化， 从而完成可编程恒流源控制器的设计方法。利用该方法设计
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高性能中频采样系统的设计与实现
为提高中频采样系统性能，降低板级噪声，加大采样频率的灵活性，设计并实现一种高性能中频采样系统。该系统利用AD9518-4实现可配置的采样时钟，根据不同的采样要求，AD9518-4可提供多路不同频率的输出。系统还采用AD8352型运算放大器作为A／D转换器前端驱动电路，将单端中频输入信号转换为差分信号，并进行相应放大，滤波等工作。配合AD9445型A／D转换器，获得14位低电压差分输出信号。实验结果表明，该系统在40 MHz中频信号输入的情况下，信噪比达到77．4 dBFS，并可实现采样时钟的可编程配置。与
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Vishay推出双芯片P沟道TrenchFET®功率MOSFET SiA923EDJ
21ic讯 Vishay Intertechnology, Inc.推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器
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Vishay推出双芯片P沟道TrenchFET®功率MOSFET SiA923EDJ
21ic讯 Vishay Intertechnology, Inc.推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器
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