电源
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LCD和相机总线方案中的功率转折点
摘要：当今手机的一个共同发展趋势是LCD和相机总线的串行化，这是为了降低柔性PCB 成本，节省 PCB 空间，以及减少 EMI 组件。然而，在串行方案设计方面，人们可能认为：这些串行化方案会增加额外的功耗，原因是增加了
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单一P沟道MOSFET器件（飞兆）
飞兆半导体公司 (Farichild Semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V时提供64
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单一P沟道MOSFET器件（飞兆）
飞兆半导体公司 (Farichild Semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V时提供64
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同步采样A／D转换器AD7262原理及应用
概述 AD7262是一款逐步逼近式(SAR)模数转换器(A／D转换器)。其内部有2个跟踪保持放大器，2个12位的同步采样A/D转换器，2个可编程的放大器以及2组比较器和2个独立的数据输出引脚。适用于汽车控制领域及要求高同
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高性能电源转换器设计中的同步整流技术
为满足这些需求，在上世纪90年代晚期开关电源设计师开始采用同步整流（SR）技术——使用MOSFET来替代常用二极管实现的整流功能。SR提高了效率、热性能、功率密度、可制造性和可靠性，并可降低整个系统的电源系统成本。本文将介绍SR的优点，并讨论在其实现中遇到的挑战。
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基于SoPC目标板Flash编程设计的创建及应用
随着EDA(电子设计自动化)技术的发展和可编程逻辑器件性能的不断提高，基于FPGA的可编程片上系统技术为系统设计提供了一种简单、灵活、高效的途径。基于NiosII的可编程片上系统(SoPC)设计中，几乎所有的应用设计都需要使用Flash存储器，而Flash的编程必需相应的目标板Flash编程设计支持。结合实际应用详细论述了目标板Flash编程设计的创建及应用。
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我国LED产业优势和风险并存
新能源将逐步取代传统能源成为推动社会经济进步的驱动器，而新能源往往又是伴随着新技术的诞生和进步应运而生的，LED产业就是新能源的一个典型的孵化器。业内人士认为，目前我国LED产业优势和风险并存，银行应扶持我
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ST公布Q2及上半年财报 预期Q3毛利率为31%
• 第2季度收入19.93亿美元，环比增幅20% • 第2季度库存减少2.07亿美元，上半年库存减少3.91亿美元 • 不含公司兼并交易支出的净营业现金流*由负变正，达到4500万美元意法半导体（ST）公布截至200
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大容量闪存器件K9KAG08UOM与DSP的接口设计
前言 惯性导航系统、各种导引头及空间飞行器等测试和记录应用系统，都需要自主、实时、可靠存储大量的关键信息，并保证即使整个系统掉电，所采集到的数据仍能长时间保持不丢失，实现历史数据查询，便于数据分析
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车身模块中新的失效保护方法 (1)
在今天的车身控制模块（BCM）设计中，有见识的工程师机都尽可能不再使用机电式继电器。他们的下一个发展方向是停用熔断器。但是，停用熔断器是一个非常必要的解决方案吗？是一个用更加复杂的解决方案取代一个简单而
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LED照明设计需要注意的技术细节
LED照明灯具在近期得到飞跃的发展，LED作为绿色环保的清洁光源得到广泛的认可。LED光源使用寿命长、节能省电、应用简单方便、使用成本低，因而在家庭照明都将得到海量的应用，欧司朗光学半导体公司2008年调查统计，全
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一种基于高速DSP的图像处理应用平台
引言 完成某一特定任务的图像处理系统，其硬件方案大体上有三种：使用通用计算机[1]、使用ASIC（Application Specific Integrated Circuit）[2]和使用DSP（Digital Signal Processor）[3]。使用通用计算机的方案可
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虚拟仪器思想述评
引言 关于虚拟仪器，有许多种提法和分类[1~8]，如卡式仪器、总线式仪器、计算机化仪器等等，多数均强调其软件面板，强调其虚拟界面及控制环境，强调其软件方法，一句典型且具有代表性的口号则称：“软件就是仪器”
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IGBT在客车DC 600 V系统逆变器中的应用与保护
IGBT综述 1．1 IGBT的结构特点 IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率双极型晶体管GTR与MOSFET场效应管的优点而发展的一种新型复合电子器
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IGBT在客车DC 600 V系统逆变器中的应用与保护
IGBT综述 1．1 IGBT的结构特点 IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率双极型晶体管GTR与MOSFET场效应管的优点而发展的一种新型复合电子器
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