电源
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业界最低RDSon的30V MOSFET（恩智浦）
恩智浦半导体（NXPI）发布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，拥有业界最低RDSon，4.5V时仅为1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，专门针对4.5V开关应用优化，采用LFPAK封装技术，是目前业界最牢固的
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业界最低RDSon的30V MOSFET（恩智浦）
恩智浦半导体（NXPI）发布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，拥有业界最低RDSon，4.5V时仅为1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，专门针对4.5V开关应用优化，采用LFPAK封装技术，是目前业界最牢固的
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PAL一体化摄像机设计
摘要：基于ICX229AK CCD芯片组设计了具有VGA接口的一体化摄像机。采用DSP+FPGA+ASIC的构架，完成了视频信号的采集和多格式显示。在FPGA中实现了自动聚 焦、自动光圈等功能，并扩展了鼠标驱动及划线、OSD显示等实用功
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基于Nios的FFT算法软硬件协同设计
摘要：在深入研究Nios自定制指令的软硬件接口的基础上，利用 Matlab／DSP Builder建立快速傅里叶变换FFT核心运算指令基本模型，然后用Altera公司提供的Singacompiler工具对其进行编译，产生 QuartusⅡ能够识别的VHDL
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战略性新兴产业预警
曾经出现在芯片产业发展中的种种问题，正高悬于更多的新兴行业之上，如何避免相同的问题被复制，更多地需要从产业扶持政策与体制中破解。芯片产业发展中的问题并非独有。自2009年以来，新一轮以科技带动的产业发展的
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如何为具体应用恰当的选择MOSFET
虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数，但为了选择出合适的MOSFET，工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑。例如，对于服务器电源中的负载开关这类应用，由于MOSFET基本上
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如何为具体应用恰当的选择MOSFET
虽然工程师都熟谙MOSFET数据手册上的品质因数，但为了选择出合适的MOSFET，工程师必需利用自己的专业知识对各个具体应用的不同规格进行全面仔细的考虑。例如，对于服务器电源中的负载开关这类应用，由于MOSFET基本上
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深入理解功率MOSFET数据表
本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全,只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数,以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。 数据表中的参数分为两类:即最大额定值和电气特性值。
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PSTN短消息终端SoC系统的软硬件设计
1 概述 PSTN短消息终端SoC是为固定电话网短消息业务而设计的一种数字终端处理芯片。片上集成了微控制器、RAM、FSK/DTMF调制解调器、 LCD接口、键盘扫描、数据存储器扩展页面寻址接口以及线路状态控制接口;可以
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智能化粉针药品自动分装系统电路设计原理及总程序流程图
系统总体框图如图所示,主要包括8031单片机主控系统、键盘、LED显示器、状态检测电路、语音自动报警电路、串行通信接口、步进电机驱动电路、入料电机驱动电路、多路稳压电源、微机、机械传动及分装机构。斩波式平滑驱
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采用NCL30000的单段式CrM TRIAC调光LED驱动器设计
采用NCL30000的单段式CrM TRIAC调光LED驱动器设计 为了促进节能，世界各地的政府机构或规范组织制定了不同LED照明规范，主要体现在对功率因数(PF)的要求方面。如欧盟的国际电工联盟(IEC)规定了功率大于25 W照明
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变压器绕制工艺之变压器分布电容
变压器绕组绕在磁芯骨架上，特别是饶组的层数较多时，不可避免的会产生分布电容，由于变压器工作在高频状态下，那么这些分布电容对变压器的工作状态将产生非常大的影响，如引起波形产生振荡，EMC变差，变压器发热等。
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并网发电光伏逆变器的设计要求
摘要提出了并网发电所需的光伏逆变器的设计要求。设计时采用电压源型逆变器实现光伏发电的并网运行，并采用16 位微处理器和IGBT 功率器件改善逆变器的输出波形。 引言太阳能光伏发电系统目前主要用于无电或缺电的边远
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单端双管正激的驱动变压器绕法分析
很多工程师都认为常用的变压器绕法就那么两种，普通的叠层绕法与三明治绕法，没有什么可讨论的。 其实不然，从这两种变压器基本绕法衍生出来许多的绕法，对电路的影响各不一样。这一帖里面我们专门来讨论驱动变
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基于FPGA的高速卷积的硬件设计实现
在数字信号处理领域，离散时间系统的输出响应，可以直接由输入信号与系统单位冲激响应的离散卷积得到。离散卷积在电子通信领域应用广泛，是工程应用的基础。如果直接在时域进行卷积，卷积过程中所必须的大量乘法和
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