随着对功率的大小不断的追求,大功率变频电源的技术也必须要创新,让变频电源变得更安全。输出为纯正弦波,波形失真率小,没有干扰控制,精度高。能适应各种输出负载,像阻性负载,容性负载,感性负载都能适应,适用的环境很广。
随着对功率的大小不断的追求,大功率变频电源的技术也必须要创新,让变频电源变得更安全。输出为纯正弦波,波形失真率小,没有干扰控制,精度高。能适应各种输出负载,像阻性负载,容性负载,感性负载都能适应,适用的环境很广。
电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。由于早期主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面,因此得名“电力电子器件”。
通常功率电子器件可以分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件,其中晶闸管为半控型器件,承受电压和电流容量在所有器件中最高;电力二极管为不可控器件,结构和原理简单,工作可靠;还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件,其中GTO、GTR为电流驱动型器件,IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。
尽管电力电子器件发展过程远比我们现在描述的复杂,但是MOSFET和IGBT,特别是IGBT已经成为现代功率电子器件的主流。
说道功率半导体,早期的功率半导体器件:大功率二极管、晶闸管等等,主要用于工业和电力系统(正因如此,早期才被称为电力电子器件)半导体器件,以前也被称为电力电子器件,简单来说,就是进行功率处理的,具有处理高电压,大电流能力的半导体器件。
基础知识要记牢!
今天我们来聊了聊有关碳化硅作为高压低损耗的功率半导体器件材料的潜力
通常我们对于一种特定器件,可以使用上述静态的方式,结合红外热成像测温仪,校核它们之间的差值,然后在实际的测量中,使用这个差值来得到结温。
随着以硅材料为基础的功率器件逐渐接近其理论极限值,利用宽禁带半导体材料制造的电力电子器件显示出比 Si 和 GaAs 更优异的特性,给功率半导体产业的发展带来了新的生机。
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通常来说LED,LED背光,OLED是三种完全不同的成像技术。而目前市场上普遍见到的LED背光显示器或液晶电视实际上并不是显示技术的更新换代,只能说是一个原件的换代。同时将LED背光混淆为LED也是不正确的。
此次小编所写的文章中所述的电路显示了创建可编程 LED 驱动器更简单的方法,该驱动器非常适用于需要紧凑、可扩展、易于供电和高线性度电源的精确照明控制应用。不过,尺寸必须适应应用的要求,以避免由于各种存在的电感(例如线路电感和寄生电感)引起的任何故障。
通常来说全闭环控制,检测输出电流,来发出 PWM 信号,是真正的恒流电源驱动控制技术。实验表明,相对于其他非闭环的方案,这种独有的闭环恒流控制技术使输出电流精度有了质的飞跃,使整机电源在全电压、全负载、电感变化范围内的电流精度达到行业内目前最高的±0.9%。
什么是共模干扰?它有什么作用?其实,对于共模干扰的困扰都是来自于实际操作中。而共模干扰往往对系统损伤最大,打比方如大功率电机、断路器或开关,短路,雷击感应等,这些类型大都是外来的共模信号,其脉宽在数百us到s之间,周期最长也是数秒,这样的脉冲持续引起对地的高电压波动,从而损伤系统。但是对于高频共模干扰,从干扰源开始,大部分能量是以辐射的方式作为能量传输途径的,而且这样的共模干扰多产生于系统本身。