STM32F100VBT6采用ARM Cortex™-M3 32位RISC内核,工作频率24MHz,集成了高速嵌入式存储器(闪存高达128kB、SRAM高达8kB)以及各种增强外设和连接到两条APB总线的I/O。所有器件提供两个I2C、两个SPI、一个HDMI
TPS2480/81是具有正电压智能保护的热插拔控制器和I2C电流监视器。具有可编程的FET功率限制,外接N沟FET栅极驱动,可编程的故障定时器,电流、电压和功率的I2C监视,1%的高精度电流监视,并具有动态校准,输入电压9V~
本文阐述了Spartan-3 FPGA针对DSP而优化的特性,并通过实现示例分析了它们在性能和成本上的优势。 所有低成本的FPGA都以颇具吸引力的价格提供基本的逻辑性能,并能满足广泛的多用途设计需求。然而,当考虑在FPGA构
引言 目前,ARM微处理器已在多种领域中应用,例如工业数字/智能控制、机器人、消费/教育类多媒体、DSP和移动式/便携式设备等。有关统计表明,各种各样 基于ARM微处理器的设备应用数量已经远远超过了通用计算机
引言 目前,ARM微处理器已在多种领域中应用,例如工业数字/智能控制、机器人、消费/教育类多媒体、DSP和移动式/便携式设备等。有关统计表明,各种各样 基于ARM微处理器的设备应用数量已经远远超过了通用计算机
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出同步降压-升压型转换器 LTC3113,该器件用标称 3.3V 的电源、锂离子 / 聚合物电池提供 3A 输出电流,或用两节碱性 / 镍镉 / 镍氢金属电池提供高达 1A 的输出电流。
电源工程师,尤其是从事一体型(All-In-One, AIO) PC电源、纤薄型PC适配器、液晶电视和LED照明设计的工程师,需要使用双开关反激式拓扑来提供符合政府法规所要求的较高的效率和节能效果,而这是LLC或者单反激式解决方
-手机功放优势会扩大,模拟IDM的轻资产化将指日可待 -针对战略性新兴市场,选择特定产品应用,走差异化之路 “虽然很多模拟IDM企业的6英寸晶圆厂都存在了20年甚至30年了,又设立在美国等一些成本非常高
1 主回路吸收电路与di/dt抑制电路 整流电路在输入侧要接抗雷击过电压或操作过电压吸收电路,这种吸收电路由星形连接的高频、高压电容器(如470p/2Kv)和压敏电阻(如20k/1Kv)组成,具体电路见图1中R1、R2、R3 和C1、
小功率高频感应加热器的设计与制作 家用感应加热装置的典型应用是电磁灶,其功率一般在lkW左右,要求被加热容器的底部直径不小于120mm.本设计的感虚加热器输出功率定在200W~300W,感应器有效直径lOOmm 左右,主要用于小
工作原理 图1所示为利用TOPSwitch-HX TOP257EN (U1)设计的反激式LCD显示器电源的电路图。该电源可以在宽输入范围(90至264 VAC)内工作,为负载提供13 V, 35 W的电源。Y电容C1、C2和C7与电感L1一起提供共模滤波。差
单相逆变器多环反馈控制策略分析应用了一个多环反馈控制策略来调节不间断电源逆变器的输出。分析了这种控制策略的时域与频域特性。最后给出了仿真和实验波形,结果证明了这种控制方法对线性负载和整流桥负载都有很好
IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用及原理通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法等讨论,介绍了的一种可驱动高压大功率IGBT的集成驱动模块HCPL-3I6J的应用关键词:IGBT;驱动保护电路;电源
IGBT高压大功率驱动和保护电路的应用及原理通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法等讨论,介绍了的一种可驱动高压大功率IGBT的集成驱动模块HCPL-3I6J的应用关键词:IGBT;驱动保护电路;电源
阐述了无信号源的、采用维恩电桥振荡器直接实现功率输出的激磁电源的设计思想和工作原理,以及核心器件OPA548的性能参数、电路稳幅稳频措施和实际应用中的注意事项。介绍了通过反相叠加和LC串联谐振提高电压幅值的电