电源
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TI推出微型单晶片电源管理积体电路(PMIC)系列
德州仪器(TI)(纽约证券交易所代码：TXN)推出全新微型、单晶片电源管理积体电路(PMIC)系列产品，可以为固态硬碟(SSD)、混合驱动和其他快闪记忆体管理应用的所有电源轨供电。全新的LM10504、LM10503及LM10506 PMIC可增
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西门子推出高性能的通用型变频器(MM420)
近年来，随着电力电子技术、微电子技术及大规模集成电路的发展，生产工艺的改进及功率半导体器件价格的降低，变频器越来越为工业领域所普遍采用。变频器的使用可以提高生产效率，提高设备自动化程度水平，而且在降低
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ST推出MDmesh V功率MOSFET晶体管打破世界纪录
21ic讯 中国，2011年12月27日 —— 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功
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调整光学方法用于纳米级测量
关键字： 纳米级测量 光学方法在纳米尺度范围内，一些我们熟悉的材料特性会改变。因此随着向纳米领域探索的深入，不仅要表征新材料，而且越来越需要对熟知的材料进行研究。来自纳米科学与工程学院的纳米科学“帝
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大功率VDMOS(200V)的设计研究
功率MOS场效应晶体管是新一代电力电子开关器件，在微电子工艺基础上实现电力设备高功率大电流的要求。自从垂直导电双扩散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新结构诞生以来，电力MOSFET得到
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大功率VDMOS(200V)的设计研究
功率MOS场效应晶体管是新一代电力电子开关器件，在微电子工艺基础上实现电力设备高功率大电流的要求。自从垂直导电双扩散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新结构诞生以来，电力MOSFET得到
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数字控制电源性能提高的设计方案
在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。UCD9110
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数字控制电源性能提高的设计方案
在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。UCD9110
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为手持设备的被动式OLED显示器供电
OLED或有机发光二极管显示器是一项带来显示器领域变革的新技术。有机材料在有电流通过时发光，基于这种原理，OLED和现在采用的LCD（液晶显示器）技术相比有许多优点。其中一个优点就是制造简单，这将导致更低的制造成
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基于电流极限比较器的设计
1.引言开关电源因体积小、重量轻、效率高、性能稳定等优点在电子、电器设备、家电等领域得到了广泛的应用，进入了快速发展期。开关电源的基本工作原理为：在不同的负载情况下，反馈控制电路通过改变功率开关管的占空
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开关电源的开关损耗
基于电感的开关电源（SM-PS）包含一个功率开关，用于控制输入电源流经电感的电流。大多数开关电源设计选择MOSFET作开关（图1a中Q1），其主要优点是MOSFET在导通状态具有相对较低的功耗。 MOSFET完全打开时的导
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使用混合信号示波器调试混合信号嵌入式设计
关键字：混合信号示波器 混合信号 嵌入式设计当前的嵌入式设计工程师面临着系统复杂程度日益提高的挑战。典型的嵌入式设计可能会包括各种模拟信号、高速和低速串行数字通信、微处理器总线等等。I2C和SPI等串行协议通
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革命性“混合超级电容”可望实现电池技术跨越式进步
Ioxus Inc.日前发布了一种重大的电池结构改良，将有助于缩减半导体和电池技术之间的差距──传统电池技术由于必须依赖无法改变的化学反应，成长脚步一直落后于半导体。与采用主电池储能的方式不同，他们仅根据个别设
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2012年平板显示器最新技术发展趋势
未来平板显示器技术将朝向：可呈现4Kx2K资讯内容的高解析度、薄边框呈现超薄质感；Oxide-TFT与AMOLED将持续在大尺寸与中小尺寸两个领域称霸，显示器也持续并朝向透明化以及可挠性的发展，进一步带动FPD更多的创新应用
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三星买回S-LCD 有助其AMOLED整合
尽管SONY与三星Samsung结束面板事业长达8年之合资关系，接下来三星将买回SONY所持有的S-LCD公司另一半股权，被认为三星将逐渐流失SONY这家重要客户。不过，从多元角度来看，市场研究机构NPD DisplaySearch认为，此举
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