电源
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应用ADXL50设计的加速度-频率测量仪器
振动焊接即在焊接的过程中施加振动，以保证在焊缝方向上能够稳幅和稳频振动。一般的振动焊接仪器上都自带有加速度测量仪，但是传统的振动焊接的加速度测量仪器只能固定在一点上进行测量，很难保证稳幅和稳频的效果。
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窄带语音通信系统的研究与设计
引言 当今时代是个信息飞速膨胀的时代，为了满足用户不断增长的信息量需求，各种数据网络、信息平台都在进行不断的扩容建设。然而。频带资源终归是有限的，无论是有线通信还是无线通信，频带资源正变得越来越宝
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基于AT89S52的温湿度检测系统的设计
引言 温度、湿度是工农业生产的主要环境参数．对其进行适时准确的测量具有重要意义。利用单片机对温、湿度控制。具有控温、湿精度高、功能强、体积小、价格低，简单灵活等优点，很好的满足了工艺要求。本文介绍
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基于56F8O13 DSP的FIR滤波器设计
0 引言 数字滤波器是一种用来过滤时间离散信号的数字系统，通过对抽样数据进行数学处理来达到频域。滤波的目的。根据其单位冲激响应函数的时域特性可分为两类：无限冲激响应(IIR)滤波器和有限冲激响应(FIR)滤波
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基于56F8O13 DSP的FIR滤波器设计
0 引言 数字滤波器是一种用来过滤时间离散信号的数字系统，通过对抽样数据进行数学处理来达到频域。滤波的目的。根据其单位冲激响应函数的时域特性可分为两类：无限冲激响应(IIR)滤波器和有限冲激响应(FIR)滤波
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饱和电感及其在开关电源中的应用
介绍了饱和电感的分类及其基本物理特性，总结了可饱和电感在尖峰抑制器、磁放大器、移相全桥ZVS-PWM变换器、谐振变换器和逆变电源中的应用。
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补偿及测量高功率 LED 驱动器的控制回路
数学模型一直都有助于判定特定设计的最佳补偿组件，然而，补偿 WLED 电流调节升压转换器的情况，则与补偿被设定为调节电压的相同转换器略微不同。以传统的方法测量控制回路相当不便，因为回馈 (FB) 引脚的阻抗不高
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补偿及测量高功率 LED 驱动器的控制回路
数学模型一直都有助于判定特定设计的最佳补偿组件，然而，补偿 WLED 电流调节升压转换器的情况，则与补偿被设定为调节电压的相同转换器略微不同。以传统的方法测量控制回路相当不便，因为回馈 (FB) 引脚的阻抗不高
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DC/DC功率变换器软开关技术及Pspice仿真
本文介绍了软开关变换相对于传统电路中的硬开关变换的优点，对几种典型的软开关进行了叙述和比较，并给出了其中两个有代表性变换电路的Pspice仿真结果，最后提出了软开关技术可能的发展趋势。
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DC/DC功率变换器软开关技术及Pspice仿真
本文介绍了软开关变换相对于传统电路中的硬开关变换的优点，对几种典型的软开关进行了叙述和比较，并给出了其中两个有代表性变换电路的Pspice仿真结果，最后提出了软开关技术可能的发展趋势。
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通信用正激式DC/DC模块电源设计
通信用DC/DC模块电源功率级一般从几瓦至几十瓦，输出电压从几伏至上百伏，对于几十瓦的电源，一般以低压大电流为主，有5V/10A、 5V/6A、3.3V/8A等规格，效率一般在80％左右（具体视输出电压大小）。因为模块电源要求MTBF（平均无故障时间）1000000小时以上，所以要尽量避免使用电解电容，最好使用陶瓷电容。陶瓷电容容量不大，具有非常好的高频特性。此外，DC/DC模块电源的厚度要求小于12.7mm，所以对变压器的要求高，磁芯必须具有扁平的形状和在高频情况下具有较小的损耗因子。
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通信用正激式DC/DC模块电源设计
通信用DC/DC模块电源功率级一般从几瓦至几十瓦，输出电压从几伏至上百伏，对于几十瓦的电源，一般以低压大电流为主，有5V/10A、 5V/6A、3.3V/8A等规格，效率一般在80％左右（具体视输出电压大小）。因为模块电源要求MTBF（平均无故障时间）1000000小时以上，所以要尽量避免使用电解电容，最好使用陶瓷电容。陶瓷电容容量不大，具有非常好的高频特性。此外，DC/DC模块电源的厚度要求小于12.7mm，所以对变压器的要求高，磁芯必须具有扁平的形状和在高频情况下具有较小的损耗因子。
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基于Proteus的ARM虚拟开发
1 引言 现在，人们生活中的每个角落都有嵌入式设备的存在，比如数码相机、移动电话、TV机顶盒及掌上电脑等等。这些嵌入式设备多采用32位RISC嵌入式处理器作为核心部件。 其中基于ARM核的嵌入式处理器独占
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DisplayPort 在电视中的应用
DisplayPort是视频电子标准协会（Video Electronic Standards Association-VESA）新的接口标准，简化了显示设计及其相关的连接。它还以强大的电气特性支持更高的分辨率。虽然从目前的应用来看，DisplayPort接口主要应
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第三代12V TrenchFET功率MOSFET(Vishay)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件 --- SiR494DP，将该系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的电压降至12V，同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的
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