表面贴装功率MOSFET封装的演进

功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件，而且也代表着一个众所周知的事实——硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离。

表面贴装功率MOSFET封装的演进

功率MOSFET不仅是一种普遍使用的电子元件，而且也代表着一个众所周知的事实——硅技术的创新已经与满足市场需求的表面贴装封装的创新形影不离。

美国在芯片研发领域落后了吗？

对于美国在半导体研发领域的衰落我们需要重点研究，悲观者认为正如贝尔实验室被后来者所超越一样，TI也在面临同样的问题，需要面对诸如TSMC等新兴制造商的挑战，乐观派则认为Intel依然扮演下一代半导体技术世界领

采用TurboFET技术的第三代功率MOSFET（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET™ 技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45

2MHz降压型DC/DC稳压器和LDO控制器（Linear）

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出采用 4mm x 4mm QFN 或 TSSOP-20E 封装的 36V、1.5A (ISW) 降压和升压型稳压器以及线性控制器 LT3570。该器件在 2.5V 至 36V (40VMAX) 的 VIN 范围内工作，非常适

300mA低压降稳压器解决方案（飞兆）

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为对能量敏感的系统设计人员提供300mA低压降 (LDO) 稳压器解决方案，在效率、瞬态响应和占位面积方面实现平衡。FAN2564是低VIN LDO产品，能提供开关稳压器相似的效率，而占

全新封装XS1-G4可编程器件（XMOS）

XMOS日前推出了其G4可编程器件的一款新型封装形式，它是XS1-G4系列的第一款产品。该款新型144管脚BGA的封装形式是专为要求较小外形（11mm2）的各种系统而设计，其0.8mm的球间距是小巧型设计和简单PCB布局的理想之选。

全新封装XS1-G4可编程器件（XMOS）

XMOS日前推出了其G4可编程器件的一款新型封装形式，它是XS1-G4系列的第一款产品。该款新型144管脚BGA的封装形式是专为要求较小外形（11mm2）的各种系统而设计，其0.8mm的球间距是小巧型设计和简单PCB布局的理想之选。

反激式控制器（Linear）

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出反激式控制器 LT3751，该器件可将大型电容器迅速充电至高达 1000V。LT3751 驱动一个外部 N 沟道 MOSFET，可在不到 1 秒钟的时间内将一个 1000uF 电容器充电至 500

I2C USB电源管理器和锂离子电池充电器（Linear）

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出自主 I2C 控制的高效率电源管理器、理想二极管控制器和锂离子/聚合物电池充电器 LTC4099，该器件用于诸如媒体播放器、数码相机、PDA、PND 和智能电话等由 USB 供电

基于KEELOQ跳码技术的密码发生器设计

基于ARM9和Linux的机器人控制系统设计

引 言 现有智能机器人用直流电机作为驱动轮时一般都是用单片机或者高速的DSP等进行控制，而且同一机器人往往需用多个CPU来实现各自的功能，但随着对机器人的智能化要求越来越高，需要一种新的控制器(使用一个处

S-58LM20A及其在温度保护中的应用

Windows Embedded CE 6.0电路板支持套件（BSQUARE）

局域网用程控交换机电源的网络监控系统设计