电源
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开关电源MOSFET驱动电路的RCD缓冲设计详解
在开关电源设计中，MOSFET作为核心开关器件，其开关过程产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI）问题直接影响系统可靠性。RCD（电阻-电容-二极管）缓冲电路通过钳位电压尖峰、抑制振荡，成为保护MOSFET的关键技术。本文从工作原理、参数设计、优化策略三方面解析RCD缓冲电路的核心设计要点。
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电源模块并联均流控制电路的设计与调试技巧
在数据中心、电动汽车、通信基站等高可靠性电力电子系统中，单模块电源的功率密度和冗余能力已难以满足需求，多模块并联技术成为提升系统容量与可靠性的关键方案。然而，模块间参数差异（如输出电压、内阻、温度系数）会导致并联时电流分配不均，轻则降低效率，重则引发模块过载损坏。本文结合工程实践，系统阐述并联均流控制电路的设计原则与调试技巧。
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电源模块灌封工艺与散热性能提升的工程实践
在电力电子设备向高功率密度、高可靠性演进的趋势下，电源模块的散热设计已成为制约系统稳定运行的核心瓶颈。灌封工艺作为兼顾机械防护与热管理的关键技术，通过材料选择、工艺优化及结构创新，可显著提升模块的散热效率与环境适应性。本文结合新能源汽车OBC（车载充电机）与工业伺服驱动器的工程案例，系统阐述灌封工艺对散热性能的影响机制及优化策略。
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氮化镓（GaN）器件在低纹波电源中的应用，高频开关与低反向恢复损耗的协同优势
在低纹波电源设计领域，氮化镓(GaN)器件正以独特的材料特性重塑技术边界。其核心优势源于高频开关能力与零反向恢复损耗的协同效应，这一组合不仅突破了传统硅基器件的物理极限，更在电源效率、体积优化及信号纯净度方面展现出革命性突破。
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高频氮化镓（GaN）在65W快充中的选型实践，南芯SC3050与英诺赛科INN650D02的对比分析
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料，凭借高频、低损耗、高功率密度的特性，已成为65W快充电源的核心器件。在器件选型中，南芯SC3050与英诺赛科INN650D02是两款典型代表，前者为高集成度合封芯片，后者为分立式功率器件。本文从器件特性、应用场景、系统设计三个维度展开对比分析，为工程师提供选型参考。
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平面变压器在AC-DC模块中的优势解析：高频损耗、寄生电容与散热结构的优化路径
AC-DC电源模块向高频化、小型化演进，传统绕线式变压器因体积大、寄生参数高、散热效率低等缺陷，逐渐成为制约功率密度提升的瓶颈。平面变压器凭借其独特的层叠式结构与高频适配性，在400kHz以上频段展现出显著优势。本文从高频损耗抑制、寄生电容优化、散热结构创新三个维度，解析平面变压器在AC-DC模块中的技术突破路径。
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压敏电阻（MOV）的选型误区，通流容量、残压与老化特性的动态测试方法
在电子设备的过压保护体系中，压敏电阻(Metal Oxide Varistor, MOV)如同电路的“安全气囊”，其性能直接决定设备在雷击、静电、开关浪涌等瞬态高压下的生存能力。然而，实际应用中，工程师常因对核心参数理解偏差、测试方法不严谨，导致选型失误或性能误判。本文将深度解析压敏电阻选型中的三大误区，并揭示通流容量、残压与老化特性的动态测试方法。
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汽车电子的电磁兼容性(EMC)标准严苛吗
汽车电子是车体汽车电子控制装置和车载汽车电子控制装置的总称。车体汽车电子控制装置，包括发动机控制系统、底盘控制系统和车身电子控制系统(车身电子ECU)。
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BMS测试仪的“感官网络”：多维参数监控
随着新能源汽车与储能系统的快速发展，电池热失控风险成为悬在行业头顶的“达摩克利斯之剑”。极端温度下，电池性能急剧变化，热失控概率呈指数级增长。
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齐纳击穿的击穿电压与温度升高的关系
电容器是电子电路中至关重要的组件之一，它储存和释放电能，用于平滑电流、滤波、耦合信号、定时等功能。然而，电容器在运行过程中可能会遇到击穿现象，即其绝缘材料失去绝缘性能，导致电容两极间发生放电。
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在MOS管的运用中，为什么我们常会遇到各种‘击穿’现象
mos管也称场效应管，首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon(外在硅)，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。
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展频技术（SSC）在开关电源中的应用，频率抖动对纹波频谱的分散效应
在新能源汽车充电桩的EMC测试实验室里，工程师们曾因开关电源在16384Hz固定频率下产生的尖峰辐射超标而焦头烂额。当他们将开关频率改为在±10%范围内线性抖动时，原本尖锐的频谱峰值竟如被施了魔法般向两侧扩散，辐射值瞬间降低12dB。这一戏剧性转变，正是展频技术(Spread Spectrum Clocking, SSC)在开关电源中展现的"频谱魔术"。
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抑制传导EMI的X电容与共模电感协同选型，频段覆盖与阻抗匹配的实战案例
在电力电子设备中，传导电磁干扰(EMI)如同隐形的“电流病毒”，可能引发设备误动作、数据丢失甚至系统瘫痪。某新能源汽车充电桩厂商曾因未通过EN 55032传导发射测试，导致产品上市延期三个月，直接损失超500万元。这一案例揭示了传导EMI抑制的核心挑战：如何在150kHz-30MHz的宽频带内实现精准阻抗匹配，同时平衡成本与可靠性。本文通过特斯拉ADAS雷达电源模块、比亚迪刀片电池BMS系统等实战案例，解析X电容与共模电感的协同选型方法。
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图腾柱无桥PFC拓扑深度解析，高频化与低导通损耗的协同设计方法
在能源效率与功率密度双重驱动的电力电子时代，图腾柱无桥PFC(Power Factor Correction)拓扑凭借其突破性的结构设计，成为单相AC/DC变换器的技术标杆。该拓扑通过消除传统整流桥的二极管损耗，结合高频化与同步整流技术，实现了效率与功率密度的双重跃升。本文将从拓扑演化、高频化机理、低导通损耗设计及协同优化策略四个维度，揭示其技术内核与创新路径。
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同步整流驱动芯片的10ns级导通延迟选型：MPS MP6924与Silergy SY5875的交叉导通风险评估
同步整流驱动芯片的导通延迟精度已成为决定系统效率与可靠性的核心参数。当导通延迟缩短至10ns级时，MOSFET的开关动作与变压器次级电压的同步误差被压缩至极限，此时交叉导通风险如同悬在工程师头顶的达摩克利斯之剑。本文以MPS MP6924与Silergy SY5875两款典型芯片为样本，从时序控制、驱动能力、保护机制三个维度，解析10ns级延迟下的交叉导通风险评估方法。
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