光强度数显器是中国专利产品,是以Atmega48单片机控制为核心,能够将光强度细分成许多个等级,并用数字信号显示出其亮度等级,本设计成本低、显示精确、操作简单。
一、 电子电路的设计基本步骤:1、 明确设计任务要求:充分了解设计任务的具体要求如性能指标、内容及要求,明确设计任务。2、 方案选择:根据掌握的知识和资料,针对设计提
变光LED驱动器在低光量时会出现光输出稳定性问题,本文将探究这个问题的根源,并提出一个解决方案。本文不讨论双向晶闸管的变光技术,因为低光量不稳定性是因为不同的机制造
电流型控制的开关电源系统有三种控制方式:即峰值电流控制、平均电流控制和滞环电流控制。图1所示即为电流型控制的开关电源系统结构框图。它包含有两个负反馈控制环:内环是
本文介绍了集成直流稳压电源电路工作原理,设计电路图。分析了变压、整流、滤波、稳压电路的实现过程。通过元器件的选定原则选取合适的参数大小实现电源的设计。
本文为了实现大功率数字式电镀电源,提出了一种基于ARM芯片STM32F103的数字式电镀电源并联均流系统设计方案,并完成系统的软硬件设计。该系统采用STM32F103作为主控芯片,通过CAN总线控制多个电源模块并联工作并使其电流平均,达到大功率输出的目的。系统具有多种工作模式和外设接口,人机界面友善。实际应用表明,系统工作稳定,达到方案设计要求。
众所周知,半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。而事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。下面我们先从简单的原理、特性、应用及封装逐一来了解。
以太网供电(PoE+)应用目前遵循IEEE标准802.3af,它即将在今年的第二季度被802.3at(PoE+)所替代,新的PoE+标准将可为用电设备(PD)提供大约2倍的功率。本文提出一个简单的工作
饱和开关的问题点:OFF延时时间如图1所示,使场效应晶体管开关动作时,加给晶体管的基极电流IB:是IB=IC/hFE,决定的值大的电流。这是由于晶体管的集电极一发射极饱和电压V
功率MOSFET的驱动当然色可使明射极跟随器。最近,制作了很多使用功率MOSFET的高速开关电源。观察开关电源用控制IC的数据表,就会发现作为功率MOS的常见驱动的设备。代表性的
MC33035的3个上侧驱动输出(1、2、24脚)是集电极开路的NPN型晶体管,其吸入电流能力为50mA,耐压为40V,可用来驱动外接逆变桥上桥臂的NPN型功率晶体管和P沟道MOSFET功率管。
主要介绍基于现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FP-GA)及EDA方法学的永磁无刷直流电机控制系统的电子电路设计。FPGA是一种高密度可编程逻辑器件,其逻辑功能
为了减小干扰,增加控制电路的可靠性,在系统设计时,将控制电路与功率驱动电路完全分开,功率部分与控制部分不共地而控制信号采用光电隔离,其中主要的控制信号为PWM信号。
目前屋顶上安装的太阳能电池板已经在全美得到普遍推广,但据消息,这种做法或增加了消防救援的难度,太阳能产业正与消防部门和公共事业合作寻求减少清除障碍的方法。天台通
LED照明国家标准研讨会于9月11日在苏州召开。本次研讨会由全国照明电器标准化技术委员会主办,主要围绕《普通照明用LED和LED模块术语和定义》等10项照明LED国家标准制修订项