微发光二极管(Micro LED)被喻为是即将颠覆产业的新一代显示器,面对新技术掀起的趋势浪潮,近日,LG Display在接受南方日报记者采访时表示,公司已着手研发Micro LED,该技术将更适用于商业场景。
对于需要从高输入电压转换到极低输出电压的应用,有不同的解决方案。一个有趣的例子是从48 V转换到3.3 V。这样的规格不仅在信息技术市场的服务器应用中很常见,在电信应用中同样常见。
近日,作为电视液晶面板行业后进者,惠科电子(深圳)有限公司连续签署了两份投资协议,一份是郑州第11代液晶面板生产线项目,一份是绵阳第8.6代液晶面板生产线项目,总投资规模达640亿元。如果这两条生产线项目都能顺利实施、投产,将加剧全球电视液晶面板产能过剩的风险。
墨西哥科阿韦拉州(Coahuila)的沙漠安装了230万个太阳能板,远望宛如浩瀚黄沙中出现了一片深蓝色海洋。
近日,雄安新区市民服务中心电动汽车充电站迎来了投入使用后“入驻”的第一批“顾客”——首汽集团20辆共享电动汽车。
DTF(distance tofault),是故障定位的意思,是一种用于天线传输线路服务维护、线路性能验证以及故障分析的工具。DTF中运用了频域反射(FDR)测量技术。FDR是一种传输线路故障隔离方法,可精确识别同轴电缆和波导传输线路的信号路径衰减。能够精确定位故障和系统性能下降,而不仅仅是线路断路或短路的情况。可以迅速识别线路连接不良、电缆损坏或天线故障等造成的影响。
XP Power正式宣布价格优惠的高功率密度DC-DC转换器家族增加新成员,可适合铁路牵引,铁道车辆和其他严苛环境中应用。这些产品提供超宽的50W 至 600W功率范围,其中50W产品的牵引电池电压为24, 36, 48, 72 & 110 VDC,100W产品为110 VDC,300W 和600W产品为72 & 110 VDC。所有模块都采用工业标准的砖块外壳,使低规格系统升级更容易。
开关电源次级线圈上的输出电压Uo是脉冲状态
开关电源是各种电子设备必不可缺的组成部分,其性能优劣直接关系到电子设备的技术指标及能否安全可靠地工作。由于开关电源内部关键元器件工作在高频开关状态,功耗小,转化率高,且体积和重量只有线性电源的20%—30%,故目前它已成为稳压电源的主流产品。电子设备电气故障的检修,本着从易到难的原则,基本上都是先从电源入手,在确定其电源正常后,再进行其他部位的检修,且电源故障占电子设备电气故障的大多数。故了解开头电源基本工作原理,熟悉其维修技巧和常见故障,有利于缩短电子设备故障维修时间,提高个人设备维护技能。
不间断电源(Uninterruptible Power Supply)。其功能为保护贵重的仪器设备,延长紧急安全逃生设备之电力,避免电力中断或电力不稳的现象减短设备的寿命,防止电源的高突波危害与损坏设备等。
是由生产工艺造成的,大功率MOS管漏极从硅片底部引出,就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构,漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向,没有这个二极管。模拟电路书里讲得就是小功率MOS管的结构,所以没有这个二极管。但D极和衬底之间都存在寄生二极管,如果是单个晶体管,衬底当然接S极,因此自然在DS之间有二极管。如果在IC里面,N—MOS衬底接最低的电压,P—MOS衬底接最高电压,不一定和S极相连,所以DS之间不一定有寄生二极管。
是由生产工艺造成的,大功率MOS管漏极从硅片底部引出,就会有这个寄生二极管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面结构,漏极引出方向是从硅片的上面也就是与源极等同一方向,没有这个二极管。模拟电路书里讲得就是小功率MOS管的结构,所以没有这个二极管。但D极和衬底之间都存在寄生二极管,如果是单个晶体管,衬底当然接S极,因此自然在DS之间有二极管。如果在IC里面,N—MOS衬底接最低的电压,P—MOS衬底接最高电压,不一定和S极相连,所以DS之间不一定有寄生二极管。
外媒消息称,飞利浦照明将关闭位于美国Fall River的制造工厂。飞利浦照明公司通信负责人梅丽莎坎特(Melissa Kanter)说,该工业园区的飞利浦照明员工上周五已获得通知,将在今年第三季度开始将生产转出Fall River。飞利浦照明Fall River制造工厂的关闭将影响约160名员工,转让工作将于2019年第一季度末完成。
据业内人士透露,中国LED外延晶圆和芯片制造商原本计划在2018年采购共计280台至300台MOCVD设备,但是鉴于LED芯片价格持续下降,暂时推迟了超过100台设备的采购订单。 在原计划于2018年订购的MOCVD设备中,预计今年安装200-250台。
本文提出了一种独特但简单的栅极脉冲驱动电路,为快速开关 HPA 提供了另一种方法,同时消除了与漏极开关有关的电路。实测切换时间小于 200 ns,相对于 1 μs 的目标还有一些裕量。其他特性包括:解决器件间差异的偏置编程能力,保护 HPA 免受栅极电压增加影响的栅极箝位,以及用于优化脉冲上升时间的过冲补偿。