本文基于UC3842高性能电流模式脉冲宽度调制(PWM)发生器控制的开关电源,适合应用于此类医疗系统。实验通过光耦实现输出和输入的隔离,不仅提高了电源的效率,简化了外围电路
目前国内大部分生产厂商已经采用IGBT结构的感应加热电源,这种结构的加热电源能够维持长时间高效工作,且安全性比较高,因此比较受到生产商和消费群体的欢迎。然而。虽然国
对于80~800W的通用交流输入AC / DC电源设计,单级升压PFC加上半桥LLC被认为是一种非常流行的拓扑。一般传统做法,这样的电源设计会采用模拟PFC+模拟LLC, 分开或者组合的
在直流电路当中,使用的较多的技术非DC-DC莫属,它能够使电压值的电能转变为另一个电压值电能。电源设计当中的DC-DC变换器模块就是基于这种技术,它能够简化电路的设计,并
近日,LED驱动电路设计方面的资深达人DougBailey总结了设计工作中需要注意的问题和亲身设计心得,为大家分享总结如下:一、不要使用双极型功率器件DougBailey指出由于双极
本文就三极管的工作原理进行了简单介绍。1、晶体三极管简介。晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合,两个pn结之间的相互影响,使pn结的功能发生了质的飞跃,具有电流放大
线性电源能够将交流电进行降压处理,在电子设计领域有着比较广泛的应用。本篇文章将要介绍的,是一种能从0V开始调起的范围线性直流可调电源,并且能够进行低压实验。理论上
功率开关的两个选择是MOSFET和 IGBT。一般而言,MOSFET比IGBT可以工作在更高的开关频率下。此外,还必须始终考虑体二极管的影响:在升压级的情况下并没有什么问题,因为正常工作模式下体二极管不导通。MOSFET的导通损耗可根据导通阻抗RDS(ON)来计算,对于给定的MOSFET 系列,这与有效裸片面积成比例关系。当额定电压从600V 变化到1200V时,MOSFET的传导损耗会大大增加,因此,即使额定RDS(ON) 相当,1200V的 MOSFET也不可用或是价格太高。
现如今智能手机与设备都在向着小型化轻薄化发展,但对于体积的要求压缩了电池的体积,这就导致了电池续航能力较差的问题。想要解决此问题,提升电池容量是一方面,另一方面
所有的LED灯具都有这种致命的缺陷,而且至今为止,没有人提出过好的解决办法。所有搞LED电源的或是搞LED成品灯具的,都对这个问题避而不谈,装作不知道,然而实际量产,这个
熟悉变频电路设计的朋友都知道SPWM波的生成对于核心性能的重要性。能够快速准确的计算SPWM波是非常重要的。目前主流的SPWM波计算方法有三种,在之前的文章中小编已经为大家
近年来,随着LED芯片材料的发展,以及取光结构、封装技术的优化,单芯片尺寸的功率(W)越做越高,芯片的光效(lm/W)、性价比(lm/$)也越来越好,在这样的背景支持之下,LED芯
有网友留言“纯电动车在现代就是笑话,混动更加实际一点,在更高效耐用的电力系统出来之前没必要过度扶持纯电动车”。
电动汽车公司法拉第(Faraday Future)获得了公司史上第一个美国专利,它来自一款尺寸更小但性能更为强大的逆变器。逆变器是一种能够把直流电变换为交流电的装置。该设备虽
光电耦合器(optical coupler,英文缩写为OC)亦称光耦合器,简称光耦。光耦合器以光为媒介传输电信号。它对输入、输出电信号有良好的隔离作用,所以,它在各种电路中得到广泛