电源
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如何降低MOSFET损耗并提升EMI性能
一、引言MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损
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一种RFID读取器自适应基频滤波器的设计
前 言无线频率识别(RFID)是一种自动 ID 技术，其可识别任何含有编码卷标的物体。UHFRFID 系统由一个读取器 (或询问器) 组成，该读取器调变一个 860MHz 至 960MHz 频率范围内
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滤波器的使用与设计
简介：在电子系统里滤波器是很见的组成部分，可以通过R,L,C的搭配组成各种滤波电路。一阶RC滤波器的截止频率等于1/2*pi*RC.，R,C,L串联可以搭建二阶带通滤波器等等。在电子
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上下拉电阻作用的引申—OC,OD门
简介：由上下拉电阻的作用引出本文的内容，OC和OD门。OC(open collector)是集电极开路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压
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PI推出的725V InnoSwitch-EP IC 为辅助和待机电源带来革命性变化
Power Integrations公司今日发布InnoSwitch -EP系列恒压/恒流离线反激式开关IC。新的IC产品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精确的次级反馈检测控制，因此可提供出色的多路输出交叉调整率，同时提供全面的输入电压保护和即时动态响应，并且空载功耗低于 10 mW。InnoSwitch-EP IC还采用Power Integrations创新的FluxLink 技术，可设计出无需光耦的高效率、高精度和高可靠性的电源电路，适用于家电、暖通空调(HVAC)、消费电子产品、
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如何降低MOSFET损耗并提升EMI性能
摘要： 本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用，分析了MOSFET损耗特点，提出了优化方法;并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。关键词：MOSFET 损耗分析 EMI 金升阳R3一
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西门子变频器维修检测方法
0 引言变频器在日常维护过程中，经常会遇到各种各样的问题，如外围线路问题，参数设定问题，通讯问题或机械故障等。如果是变频器出现故障，如何去判断是哪一部分的问题，以
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变频器输出接地引起的电网电压异常的分析与处理
1 故障现象中铝青海分公司三期煅烧4# 回转窑新建于2005 年5 月，其石油焦煅烧能力为12 t/h;大窑拖动系统采用变频器进行调速控制，在正常生产时投料量一般控制在10~11.6 t/h
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谐波情况下的无功补偿设计
0 引言随着变频器、电力节电器等非线性负荷的推广使用，电力网的谐波含量越来越大。电网谐波对电力无功补偿设备有着极大的影响，在谐波严重的局部电网，无电抗的电容器无功
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一种简单的防短路保护方法
简介：注释：静电损坏器件是击穿，和烧毁是两个概念，不要混淆在一起。前段时间开发了一个产品，由单片机控制对负载供电，满负载时基准电流为800毫安，程序提供不同的供电模
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电容滤波的原理及作用
简介：常用的滤波电路有无源滤波和有源滤波两大类。电容滤波为无源滤波，本文详细介绍了电容滤波的工作原理以及其作用。滤波电容的作用简单讲是使滤波后输出的电压为稳定的
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意法半导体（ST）的先进60V功率MOSFET为提高同步整流电路能效量身定制
意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)的槽栅结构低压MOSFETs STripFET F7系列将新增60V的产品线，可协助电信、服务器和台式PC机的电源以及工业电源和太阳能微逆变器的直流-直流(DC/DC)电源转换器达到严格的能效标准要求，最大限度提升电源功率密度。
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宜普电源转换公司推出双路增强型120 V、60 mΩ功率晶体管
宜普电源转换公司推出增强型氮化镓IC系列的最新成员-- EPC2110。EPC2110是一种具有120 VDS、20 A的双路共源极器件，它采用非常纤薄的封装(1.35 mm x 1.35 mm)，于栅极施加5 V电压时的最高RDS(on) 为 60 mΩ。由于EPC2110具备超高开关频率、超低RDS(on)、异常低的QG及采用非常纤薄的封装，因此这种氮化镓IC可以实现高性能。
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贴片电阻应用常见问题
摘要：在现代电子产业中，贴片电阻经常是电子产品内部最多的器件，而它们却又经常被我们所忽视，导致各种不可预测的产品故障出现。
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提高电源功率密度的主要方向有哪些？
摘要：随着电子集成化的发展，器件、设备小型化的趋势越来越明显，对电源而言也是如此。高功率密度、小型化、轻薄化、片式化一直是电源技术发展的方向。那么，电源的小型化
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