电源
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工程师该如何选择电源？
由于电子产品的风靡，能够用多种电源供电的设备已经屡见不鲜了。例如，工业手持式仪表或便携式医疗诊断设备大部分时间用电池供电，但一旦插入交流适配器或USB端口，就从交流
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电感、磁珠和零欧电阻的区别
电感是储能元件，多用于电源滤波回路、LC振荡电路、中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过50MHz。对电感而言，它的感抗是和频率成正比的。这可 以由公式：XL = 2&pi
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Vishay推出对环境友好的金属化聚丙烯膜电容器
器件具有1μF～500μF的容量和小尺寸占位21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布用于DC-link应用的新款环境友好的金属化聚丙烯膜电容器---MKP1848C。器
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封装了硅晶体管裸片的S波段功率放大器(上)
雷达系统需要功率较高但是价格适当的固态高功率放大器 (HPA)。有效的、低成本HPA 的设计对于昂贵的高频、封装式晶体管设备而言特别是一个挑战。但是，通过去除封装，可以节
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宽带RF阻抗变压器的设计
阻抗匹配器件常常用于高频电路中，一般用来匹配元器件的阻抗和电路或系统的特性阻抗。在某些电路中，希望阻抗匹配能够 实现多个八度音阶频率覆盖范围，同时插损很低。为了帮
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利用ADS设计低噪声放大器
低噪声放大器性能指标及设计步骤低噪声放大器的性能指标频率范围: 2. 0 ～2. 25 GHz;信号源阻抗: 50Ω;增益> 10 dB;噪声系数< 2 dB;稳定性: Unconditional。设计步骤放
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射频低噪声放大器电路的结构设计
1、射频LNA设计要求低噪声放大器(LNA)作为射频信号传输链路的第一级，它的噪声系数特性决定了整个射频电路前端的噪声性能，因此作为高性能射频接收电路的第一级LNA的设计必
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安森美半导体推出电机驱动智能功率模块STK57FU391A-E
STK57FU391A-E是一款PFC转换器和3相变频器“二合一”智能功率模块(IPM)，也称混合集成电路(HIC)，用于高能效地驱动三相电机。它在单个封装中集成了功率因数校正(PFC)转换器、三相变频器输出段、预驱动电路以及保护电路。这器件的关键特性如下：内置用于变频器元件及PFC元件过流保护的保护端子；内置预驱动低压保护等保护电路；能使用带内置IC的启动电路实现单电源驱动；直接输入CMOS电平控制信号，可能无须需绝缘电路(光耦)；变频器元件内置防止上边/下边晶体管同时导通的电路；每个较低相位晶体管的射
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基于功耗限制的CMOS低曝声放大器最优化设计
在无线射频接收机中，射频信号要经过诸如滤波器、低噪声放大器及中频放大器等单元模块进行传输。由于每个单元都有固有噪声，从而造成输出信噪比变差。采用多级级联的系统
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ADI公司推出超低功耗升压调节器
ADI 公司的 ADP5090 提供低光功率转换和多电源路径管理功能。Analog Devices, Inc. 日前推出适用于光伏和热电能量采集系统的业内最高效的超低功耗升压调节器 ADP5090。ADP5
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英飞凌推出具备输出功率700瓦的L波段晶体管 可降低系统成本并提高可靠性
英飞凌科技股份公司今日宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率(700瓦)，适用于工作频率范围为1200 MHz—1400 MHz的雷达系统。这种新
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Vishay新款精密薄膜片式电阻功率等级达2W
器件采用耐潮的钽氮化物膜，TCR为±25ppm/℃，公差低至±0.1%日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，将2512外形尺寸的PTN系列精密表面贴装薄膜片式电阻的功
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意法半导体（ST)推出新HB系列绝缘栅双极晶体管(IGBT）
最新的高速绝缘栅双极晶体管(IGBT)兼具近乎完美的开关能效和650V的宽额定工作电压，为应用设计提供更高的安全系数意法半导体的新HB系列绝缘栅双极晶体管(IGBT，Insulated-G
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IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充StrongIRFET系列，为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是该系列的重点器件，具有
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Vishay MOSFET荣获《今日电子》2013年度产品奖
采用超薄PowerPAK® 1212-8S封装的-20V P沟道器件在4.5V下RDS(ON)低至4.8 mΩ日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第
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