开关变压器或储能电感线圈的极限伏秒容量VTmax参数,其实与晶体管的最大集电极电压BVceo参数一样重要。在晶体管放大电路中,当晶体管集电极与发射极两端的电压超过最大集电极电压BVceo时,晶体管就会被击穿损坏。同样,在开关电源中,当施加于开关变压器的伏秒容量(电压幅度与时间长度)超过极限伏秒容量VTmax时,开关变压器也要损坏,并且还会损坏电源开关管,及其它电路元件。
假冒电池组看起来与正品几乎一模一样,通常更便宜。但许多假冒电池缺少安全部件或保护装置,而这些才是正品电池的品质证明。例如,正品锂离子电池组通常使用具有安全防护措施的原电池,防止过冲、过放、过流的保护电路,以及隔离过流的保护装置。
集成是固态电子产品的基础,将类似且互补的功能汇集到单一器件中的能力驱动着整个行业的发展。随着封装、晶圆处理和光刻技术的发展,功能密度不断提高,在物理尺寸和功率两方面都提供了更高能效的方案。
有做高频电力电子系统及开关电源的工程师都离不开电感、变压器或电机等感性元件。感性元件内部具有磁芯,磁芯由磁性材料加工而成,感性元件高频开关工作过程中,磁性材料反复磁化。
中高压逆变器应用领域门极驱动器技术的领导者Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)近日宣布其两款SCALE-iDriver™门极驱动器IC系列器件现已通过汽车级AEC-Q100 Grade 1标准的认证。这两款器件分别是SID1132KQ和SID1182KQ,它们适合驱动650 V、750 V和1200 V汽车IGBT和SiC-MOSFET模块,并且其额定峰值电流分别为+/-2.5 A和+/-8 A。SID1182KQ能提供同类隔离型门极驱动器中最大的输出电流,并且能
21ic讯 Analog Devices, Inc. (ADI)近日宣布推出其新一代增强隔离式电源转换器,使系统满足EN 55022/CISPR 22 B类电磁干扰(EMI)标准的需求,为器件级低辐射树立新的标准。
6月4日,山西能监办传来消息,山西省在运容量为9MW/4.5MWh的3个电储能联合火电调频试点项目运行稳定,今年上半年研究确定的11个电储能项目进展顺利,下一步将根据装机占比增加情况,逐步增加试点项目。作为国家战略性新兴产业,我省电储能试点工作走在全国前列。
利用震荡器的原理,先将直流电变为大小随时间变化的脉冲交流电,经隔直系统去掉直流分量,保留交变分量,再通过变换系统(升压或降压)变换,整形及稳压,就得到了符合我们需要的交流电。利用振荡电路产生一定频率的脉动的直流电流,再用变压器将这个电流转换为需要的交流电压。三相逆变器则同时产生互差120度相位角的三相交流电压。
DC/DC,表示的是高压(低压)直流电源变换为低压(高压)直流电源。例如车载直流电源上接的DC/DC变换器是把高压的直流电变换为低压的直流电。
今天要为大家介绍的是平均电流法,这种方法能够精确稳定的帮助工程师实现电源模块的并联和均流,一起来看看这种方法是怎么实践的吧。
HCPL-316J是由Agilent公司生产的一种IGBT门极驱动光耦合器,其内部集成集电极发射极电压欠饱和检测电路及故障状态反馈电路,为驱动电路的可靠工作提供了保障。其特性为:兼容CMOS/TYL电平;光隔离,故障状态反馈;开关时间最大500ns;“软”IGBT关断;欠饱和检测及欠压锁定保护;过流保护功能;宽工作电压范围(15~30V);用户可配置自动复位、自动关闭。 DSP与该耦合器结合实现IGBT的驱动,使得IGBT VCE欠饱和检测结构紧凑,低成本且易于实现,同时满足了宽范围的安全与调节需要。
现在电子电路中,有很多故障是由开关电源故障引起的,而开关电源的常见故障中,又有大部分是由一些易损件损坏而引起。 比如说,在开关电源中的开关管,经常性损坏,但是开关变压器,损坏的几率却又极小!几乎可以忽略不计。
Manz开发的SpeedPicker SAS系统具有诸多技术亮点,它能使搬运处理系统更加快速、精度更高、对工件更加柔和与软性,因此也更加经济有效。由于 Manz 在2010年引入了其前导模型并采用Bernoulli吸盘,Bernoulli吸盘已被大众所熟知。
Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今天宣布,扩展其适用于数字电源转换应用的16位dsPIC® 数字信号控制器(DSC)产品线。与Microchip现有的SMPS和数字电源
高性能模拟与混合信号IC厂商Silicon Laboratories (芯科实验室有限公司, Nasdaq: SLAB)宣布推出Si4830 AM/FM接收器芯片,从而把数字性能和一体化的好处带给机械式调谐模拟收